原文标题： AI带动！研调预估2025年记忆体产值将创新高 原文连结： https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/4744450 发布时间： 2024/07/22 14:32 记者署名： 记者洪友芳／新竹报导 原文内容： 〔记者洪友芳／新竹报导〕研调机构集邦科技（TrendForce）针对记忆体产业发表最新报 告指出，受惠於位元需求成长、供需结构改善拉升价格，加上HBM（高频宽记忆体）等高 附加价值产品崛起，预估DRAM及NAND Flash产业今年营收年增幅度将分别增加75%和77%， 2025年产业营收将持续维持成长，DRAM年增约51%、NAND Flash年增29%，将创历史新高， 并且推动资本支出回温，带动上游原料需求，唯记忆体买方成本压力将随之上升。 TrendForce估计，预估DRAM均价在2024年增53%、2025年增加35%，此条件下，将进一步推 升2024年DRAM营收达907亿美元、年增75%，2025年达1365亿美元、年增51%。 TrendForce表示，记忆体产业营收创纪录，原厂将有足够现金流加速投资。预估2025年 DRAM、NAND Flash产业资本支出分别年增25%、10%，且有机会上修。此外，记忆体生产规 模提升将带动对矽晶圆、化学品等上游原料需求，但相反的，记忆体价格上涨将增加电子 产品成本，ODM/OEM业者较难完全将成本反映在零售价上，利润势必将被压缩，终端销量 也可能受到压抑，导致需求下滑。 TrendForce表示，驱动DRAM营收增长有四因素，包括HBM崛起、一般型DRAM产品世代演进 、原厂资本支出限缩供给和Server需求复苏。相较一般型DRAM，HBM除拉升位元需求，也 拉高产业平均价格。预估2024年HBM将贡献DRAM位元出货量5%、营收20%。 此外，DDR5和LPDDR5/5X等高附加价值产品的渗透同样有助提高平均价格。TrendForce估 计，DDR5将分别贡献2024、2025年伺服器DRAM位元出货量40%、60-65%。LPDDR5/5X会贡献 2024、2025年mobile DRAM位元出货量50%和60%。 TrendForce估计，2024年NAND Flash营收将达662亿美元、年增77%；2025年在大容量QLC Enterprise SSD崛起、smartphone采用QLC UFS、原厂资本支出限缩供给和server需求复 苏等4项因素带动下，NAND Flash营收将达786亿美元、年增29%。 此外，北美云端业者CSPs已开始在inference AI server大量采用QLC enterprise SSD， 尤其是大容量规格。TrendForce预估，QLC将贡献2024年NAND Flash位元出货量20%，此比 重2025年将再提升。在智慧型手机（smartphone）应用，QLC预计逐步渗透UFS市场，部分 中国smartphone业者预计於2024年第四季起采用QLC UFS方案，Apple则预计2026年开始导 入至iPhone。 心得/评论： 记忆体这一波还没有涨到 记忆体将是AI下一波受惠的产业 根据研调机构 明年及後年记忆体单价将成长53%及35% 明年及後年记忆体营收将成长75%及77% -- (中略) --

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