作者james0326123 (土城阿信)
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标题Re: [新闻] 三星电子公布引领AI时代半导体技术路线图
时间Thu Jun 13 19:52:24 2024
这篇新闻藏了一个重点
三星HBM通过测试了
终於啊老黄殷殷期盼着
什麽两奈米的嘴炮话就别看了
三星只要通过记忆体测试他就能跟SK平起平坐
甚至以三星的量产能力
下半年会给予非常大的营收
我相信今天三星就是涨这个
台股中跟三星记忆体最有关系的就是大中华三星通路商 擎亚
他也横盘整理一段时间了
今天尾盘硬拉到平盘
昨天也是十二点过後硬拉一块多
明天挂涨停不知道买不买得到
※ 引述《madeinheaven ()》之铭言:
: 原文标题:
: 三星电子公布引领AI时代半导体技术路线图
: 原文连结:
: https://cn.yna.co.kr/view/ACK20240613002100881
: 发布时间:
: 2024年 06月 13日 15:03
: 记者署名:
: 刘羽安
: 原文内容:
: 韩联社圣何塞6月12日电 三星电子2027年将引入尖端晶圆代工技术,推出两种新工艺节点
: ,加强跨越人工智慧(AI)晶片研发、代工生产、组装全流程的AI晶片生产“一站式”服
: 务。
: 三星电子12日在美国矽谷举行“2024年三星代工论坛”,公布了涵盖上述内容的半导体技
: 术战略。三星电子正通过封装晶圆代工非记忆体半导体和高频宽记忆体(HBM)的整合AI
: 解决方案致力於研制高性能、低能耗的AI晶片产品。据此,与现有工艺相比,从研发到生
: 产的耗时可缩减约20%。
: 值得关注的是,三星电子计画引进尖端晶圆代工技术进一步强化AI晶片生产水平。具体来
: 看,三星2027年将在2奈米工艺中采用背面供电网路(BSPDN)技术(制程节点SF2Z)。该
: 技术可将晶片的供电网路转移至晶圆背面,与讯号电路分离,从而简化供电路径,降低供
: 电电路对互联讯号电路的干扰。若在2奈米工艺中采用该技术,不仅能提高功率、性能和
: 面积等参数,还可以显着减少电压降,从而提升高性能计算设计性能。目前尚无实现商业
: 化的先例。
: 另外,三星电子2027年还计画把低能耗且具有高速资料处理性能的光学元件技术运用於AI
: 解决方案。2025年,三星电子将在4奈米工艺中采用“光学收缩”技术(制程节点SF4U)
: 进行量产,使晶片更小,性能更佳。
: 三星电子方面表示,AI时代最重要的就是高性能、低能耗晶片,将通过和AI晶片适配度最
: 高的环绕式栅极工艺(GAA)、光学元件等技术为客户提供AI时代必要的“一站式”解决
: 方案。(完)
: 心得/评论:
: 三星今天在三星代工论坛公布最新的技术路线图
: 还有AI一站式解决方案
: https://i.imgur.com/hybDTa8.jpg
: https://i.imgur.com/n6u1cGf.jpg
: https://i.imgur.com/ZkAw59G.jpg
: 今年下半年量产第二代3nm(SF3)
: 2025 SF2
: 2026 SF2P SF2X(HPC / AI 应用)
: 2027 SF1.4 SF2A(车用) SF2Z(HPC / AI 应用加上背後供电技术)
: 今天三星电子收盘价78600 +2.75%
: 罢工好像影响不大?
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1F:→ Leo4891 : 还没吧 只是多一个整合HBM来吸引客户下单 06/13 19:53
2F:→ Leo4891 : 虽然三星迟早会过的啦 06/13 19:53
3F:→ payneblue : 通过测试不代表会用 SK合作台积电就是要吃掉这块 06/13 19:53
4F:推 aaa80563 : Call 讯 06/13 19:59
5F:推 TameFoxx : 这也能扯 哈哈 06/13 20:00
6F:→ bluehand : 建议先去确认一下三星的HBM会不会交给代理商交易。 06/13 21:01
7F:推 aegis43210 : 苏嬷等三星HBM很久了 06/13 22:17
8F:推 cecille : 三星原先的堆叠法行不通,要换成跟SK 一样的材料跟 06/13 23:00
9F:→ cecille : 做法才行。就算有内鬼偷资料,我是不信可以这麽快 06/13 23:00
10F:→ cecille : 上手啦 06/13 23:00
11F:推 LANGUNG : 三星在台湾的通路商 至上 有说今年第四季或明年 HB 06/13 23:23
12F:→ LANGUNG : M会开始贡献营收 06/13 23:23