原文标题： 伺服器出货不如预期及持续库存压力，第二季 DRAM 及 NAND Flash 均价跌幅再扩大 原文连结： https://finance.technews.tw/2023/05/09/2023q2-dram-nand/ 发布时间： 2023 年 05 月 09 日 14:01 记者署名： TechNews 原文内容： TrendForce 最新研究，DRAM 及 NAND Flash 供应商减产不及需求走弱速度，部分产品第 二季均价季跌幅有扩大趋势，DRAM 扩大至 13%~18%，NAND Flash 扩大至 8%~13%。 TrendForce表示，DRAM由於PC DRAM、伺服器DRAM、行动端DRAM占总DRAM消耗量超过85%， 且DDR5比重仍低，DRAM价格跌幅扩大主因是DDR4与LPDDR5库存过高。PC DRAM方面，由於 DDR4库存量充足，供应商虽急欲降低库存，然成交量没有变多。反观DDR5供给较紧缺，跌 幅较DDR4小。整体而言，PC DRAM第二季均价季跌幅扩大至15%~20%。 伺服器DRAM方面，整机需求持续下修，导致原厂DDR4库存压力上升，季跌幅扩大至 18%~23%，DDR5受PMIC问题影响，供应限缩，使第二季均价跌幅收敛至13%~18%，然DDR5比 重仍低，对价格变动影响有限，故伺服器DRAM第二季均价季跌幅仍近15%~20%。 行动端DRAM方面，随着智慧手机品牌记忆体库存修正告一段落，拉货动能较去年提升，但 供应商库存压力仍高，让利促销意愿同步提升。目前观察买方已将第三季需求与第二季合 并以增加谈判筹码，影响第二季行动端DRAM均价季跌幅扩大至13%~18%。 NAND Flash主要受企业级SSD、UFS跌幅扩大为市场供过於求仍未改善，两大产品占总 NAND Flash消耗量超过50%。 行动端SSD方面，伺服器整机需求持续下修，加深原厂库存压力，尤其中国订单仍未因解 封大幅增长。伺服器ODM订单量也受库存压抑难以上升，影响第二季行动端SSD均价跌幅扩 大至10%~15%。预估随着新平台放量，加上库存持续去化，下半年行动端SSD需求有机会明 显增长。 UFS方面，智慧手机品牌记忆体库存修正告一段落，虽拉货动能较去年提升，但供应商库 存压力仍高，让利促销意愿也同步升高。整体而言，买方试图将第三季需求与第二季合并 以增加谈判筹码，加上供应商急欲去化库存，第二季UFS均价跌幅扩大至10%~15%。 心得/评论： TrendForce 最新研究，DRAM 及 NAND Flash 供应商减产不及需求走弱速度 第二季DRAM跌价预测扩大至13~18% NAND Flash 8~13% 加上伺服器出货不及预期 , 跌价预测仍持续扩大跌幅 记忆体的寒冬还未离去吗? --

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