课程名称 P102213 前瞻固态记忆体 开课时数 12小时 上课费用 一般价4,000元 特约厂商、3人以上团报3,000元 峡查询特约商明录 峡立即加入特约厂商 同单位五人以上团报2,000元 开课日期 102年9月18日至10月9日 每周三 18:30~21:30 开课地点 交通大学工程四馆教室（教室地点於课前，以行前通知另行公布） 地址：新竹市大学路1001号 招生对象 半导体产业暨相关系统业者之在职人士或有相关技术需求者 课程目标 本课程将深入浅出地针对未来记忆体元件之运用与技术发展作一系统性的介绍 ，首先将阐述现今记忆体技术之微缩挑战，接着将简介各式运用电荷储存、铁电、磁阻、 相变、氧化还原与微机电系统之新兴记忆体元件，讲授重点为元件之操作原理、优缺点以 及当前之研究课题等。适合有兴趣了解未来固态记忆体元件发展趋势之在职或在学人员参 加，选修者应具备半导体元件物理之基础知识。 课程大纲 现今高密度快闪记忆体以浮闸结构为主流，但元件漏电流、位元间干扰与可靠 性问题，使其未来发展遭遇极大瓶颈难以突破。针对此，多项新兴元件技术被提出与尝试 。未来高储存容量的固态记忆体(SSD)等产品，极有可能由这些新技术所演变而来。本课 程整理与讲授多种前瞻固态记忆体技术的观念、重点以及发展现况，对於此领域的研发人 员将会有极大的帮助。 1. Prospects of the future memory technology development 2. Technology scaling challenges on the present memory devices 3. Next-generation floating-gate nonvolatile memory 3-1. SONOS 3-2. Nanocrystal memory 4. Emerging memory technologies 4-1. Zero capacitor RAM (Z-RAM) 4-2. Ferroelectric RAM (FeRAM) 4-3. Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) 4-4. Spin-torque-transfer MRAM (STT-MRAM) 4-5. Phase-change RAM (PCRAM) 4-6. Resistive-switching RAM (RRAM) 4-7. Nanotube RAM (NRAM) 4-8. MEMS-based Millipede memory 授课师资 侯拓宏 教授 峡现职：交通大学电子系教授 峡经历：International SEMATECH, TX研究员、台积电先进模组技术处资深工程师 峡学历：康乃尔大学电机系博士 峡专长：奈米记忆体元件 (Nanoscale Nonvolatile Memory) 分子电子元件 (Molecular Electronics) 奈米制程技术 (Nanotechnology) 半导体元件物理 (Semiconductor Device Physics) 报名网址:http://submic.ee.nctu.edu.tw/curriculum/curriculum.php?Sn=413 --

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