作者TeamTyrion (GOTfan)
看板Physics
标题[问题] 有关半导体多数载子扩散
时间Wed Jan 6 23:49:57 2016
有个粗浅但困扰了我几天的问题
找过几本教科书似乎没什麽比较明确的解释
因此想请教对半导体熟稔的版友们
当PN junction外加顺向偏压且处於steady state时
其电流特性可由少数载子注入後的扩散电流描述 (ideal diode eq)
而由Poisson's eq及continuity eq
可解得注入後的区域其net charge density随时间指数递减
若是多数载子的dielectric relaxation time够短
那steady state下的半导体在时、空间各点都呈现电中性
但这意味着多数载子的浓度梯度与少数载子一致
那多数载子的浓度梯度应该也会造成一个扩散电流
并与少数载子的扩散电流反方向、有所抵消才对
为何在ideal diode eq上并未呈现这一点
不知道我的观念是哪里出错
希望有大大能拨空解答我的问题
或者给个明确的方向或文献我自己研究也可以
感谢
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1F：→ wohtp: junction没有电中性啊，depletion region是带电的 01/07 02:55
2F：推 deepwoody: pn junction电流是来自depletion edge的扩散 所以是电 01/07 04:34
3F：→ deepwoody: 中性没错 个人认为majority relaxation太快 所以无扩散 01/07 04:34
4F：→ timothy0415: 借标题问 为何relaxation太快会无扩散 01/09 16:34
5F：→ LYHsyuhong: 在depletion edge，majority carrier的确也会有 01/30 20:17
6F：→ LYHsyuhong: Diffusion，可是要记得在nuetral region仍然会有电场 01/30 20:18
7F：→ LYHsyuhong: 所以除了diffusion current外还有drift current要考虑 01/30 20:19
8F：→ LYHsyuhong: 由於majority浓度甚大，无法确定其电流是受drift 01/30 20:20
9F：→ LYHsyuhong: 还是diffusion主导，相较之下minority的drift甚小 01/30 20:21
10F：→ LYHsyuhong: 所以会说电流由"minority的diffusion"主导 01/30 20:21
11F：→ LYHsyuhong: ideal diode eq有理由的无视了电场的影响而把问题简化 01/30 20:24