小弟不才 领域与你相似 仅就与reviewer攻防的角度回答你 ※ 引述《REGEIJI (保鲜膜一哥)》之铭言： : 我想 这个板上卧虎藏龙 : 说不定可以集思广益 化不可能为可能 : 事情是这样子的 日前收到了PAPER的revise (major revise) : 两位reviewer 其中一位真的佛心来着 只是指出了几个问题 要我修改过就OK : 也给了满分四分的评价 : 可是另一位就没有这麽好过了 她直接建议reject 评价 两分 : 其中让我最困惑的 就是他讲的这段话 : " There are no any evidences showing stacking faults, : threading dislocations, Ga-vacancies, and N-vacancies from the present : experimental information." : 我的问题是 我的PAPER里面 我有利用XRD Omeha-2theta scan 来证明stacking faults的 : 改进 也利用了XRD Omega scan 来证明了 threading dislocations 的改进 : 而Ga-vacancies, and N-vacancies 则是由PL的缺陷发光来证实有减少 : 但是reviewer却认为 没有足够证据证明这些东西的存在....... 他讲得没错 你提的实验都是非直接证据 仅证明crystal quality确实改善 但我认为stacking faults,threading dislocations减少的直接证据应为 TEM或是EPD 而PL缺陷发光也不是Ga-vacancies, and N-vacancies的直接证据 像我这种懒得补实验的人 就会将reviewer提到的重点找出引用数很多或是大咖的paper做佐证 或是适当修改文章的说词 比方说多用"可能与XX相关"的口气去说明 才不会被打死 我觉得只要回答够有诚意 应该不用补实验也能被accept : 可是一般的PAPER 都是利用这些实验来证实这些缺陷存在的阿..... : 想请问有经验的前辈 这样我该怎麽处理? 如果说我是对的话? : 如果我是错的话 我想应该没救了 stacking fault 以及threading dislocation 可以用 : TEM来佐证 可是......Ga-vacancies 除了用PL推测 我还真的想不出要用什麽证明阿.... : 以上 不知道各位有没有什麽锦囊妙计可供参考....感恩 加油 --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc) ◆ From: 118.169.33.115