KIPO：3D记忆体专利申请数量每年超过300件 新闻来源：http://bit.ly/2ZmWcfq 本文： http://iknow.stpi.narl.org.tw/Post/Figures/2019/pclass/pclass_15681a_20190611.png 由於中美贸易战导致半导体价格下跌以及半导体行业的不确定性增加，3D记忆体作为未来 技术逐渐受到关注。在此同时，相关专利申请数量也呈现急剧上升的趋势。 根据南韩知识产权局(KIPO)於2019年6月6日发布，2013年之前与3D记忆体相关的专利申请 数量每年仅有150个，但从2014年开始迅速增加，每年提交的申请量超过300个。 从过去五年3D NAND的专利申请，南韩国内公司占申请总量的78.6%，海外公司占21.4%。 这是因为三星和SK海力士在相关技术的开发上投入了大量资金，以便与记忆体半导体领域 的二线公司保持一定的技术差距。 高宽频记忆体是由矽通孔(TSV：through silicon via)互连，再堆叠成若干层DRAM所制成 的多层记忆体半导体。它已成为下一代半导体开发的技术，因为它具有低功耗和高速数据 处理能力，并且容易於与GPU等系统半导体连接。三星和SK海力士占高宽频记忆体应用申 请专利的81.4%，而海外公司主要包括台积电、英特尔和美光。 3D记忆体技术是一种半导体制造方法，透过堆叠半导体元件来将每单位面积的储存容量做 到最大化。非挥发性记忆体领域中的3D NAND快闪记忆体和易挥发性记忆体领域中的高宽 频记忆体是由3D记忆体技术建立的代表性半导体。这种3D NAND Flash记忆体模组，主要 被广泛应用於人工智慧、虚拟现实，及需要大数据存储领域。 3D NAND闪存记忆半导体，目前，已可大规模量产96层3D NAND快闪记忆体。 --

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