[新闻]南韩KAIST之FinFET胜诉、三星判赔4亿美元 [来源]https://bit.ly/2IehX8h [内容] 关於FinFET 制程专利纠纷，南韩科学技术院KAIST指控三星、Global Foundries、高通等 三家被告专利侵权案，於2018年6月15日美国德州东区法院陪审团评决侵权成立，侵犯其 中一件专利US6,885,055，并对三星需判赔 4 亿美元。陪审团评决内容： (1) 三家被告皆侵犯专利US6,885,055 之Claims 1-6, 11-13, and 15-17 (2) 争专专利US6,885,055并未无效。 (3) 三星被评决恶意侵权'055专利。 (4) 以优势证据而评决公正合理地赔偿KAIST损失，陪审团判赔三星需支付4 亿美元，而 另两家被告Global Foundries、高通则赔偿金0元。 因目前，三星被评决恶意侵权成立，法官是否会再判三倍赔偿可能高达12亿美元？仍待观 察。 对本案陪审团评决後，iKnow之观点： 本案後续是否将扩大影响到台积电(TSMC)，还要观察。现在，KAIST已取得法院背书，证 明专利有效性，同时，竞争对手Intel也取得KAIST授权使用FinFET制造晶片，证明该技术 在美国具有产业要件。而另两家被告Global Foundries、高通，虽侵权却被判0元赔偿金 ，很可能与原告KAIST达成某种协议。 FinFET专利技术将是半导体厂必争之地，而KAIST IP具南韩官方色彩的机关，他的下一步 棋如何走，很是关键，可能牵动台韩美之半导体版图变化。 --

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