http://bit.ly/2gVzINz 南韩科学技术研究院（KAIST）专利智财管理子公司KAIST IP於2016年11月29日，向美国 东德州联邦地方法院提起专利侵权诉讼，控告三星（Samsung）、高通（Qualcomm）以及 格罗方德（GlobalFoundries）侵犯一项技术专利，有关於鳍式场效电晶体（FinFET）技 术，要求支付专利使用费，可能下一波诉讼对象是台积电、联电等代工厂，或是终端应用 商苹果等。 南韩专利智财管理公司KAIST IP US是KAIST IP在美国设立之子公司，该公司隶属於韩国 科学技术研究院（KAIST）是为促进所开发的知识产权和技术而成立。KAIST成立於1971年 由南韩政府设立，是韩国第一个研究型科学与工程机构，目前拥有超过9000名学生和1100 名教授研究员，在全球拥有超过3,300项注册专利。同时，KAIST是南韩的研究型大学，与 首尔国立大学、高丽大学、延世大学和成均馆大学，并列为南韩前五大大学。 本案系争专利US6885055 (Double-gate FinFET device and fabricating method thereof)，有关於鳍式场效电晶体（FinFET）制程技术。原专利权人Lee Jong-Ho是首尔 国立大学电子工程系教授，後於2016.07.20将专利权转移给KAIST IP CO., LTD，後又於 2016.08.10转给旗下美国子公司KAIST IP US LLC，以便在美国法院主张专利权进行诉讼 。 公开号 US6885055 B2 申请书编号 US 10/358,981 发布日期 2005年4月26日 申请日期 2003年2月4日 优先权日期 2003年2月4日 其他公开专利号 US20040150029 发明人 Jong-ho Lee (李锺浩) 原专利权人 Lee Jong-Ho 目前专利权人 KAIST IP US LLC 近2年来，半导体最热门的讨论就是「FinFET」技术，被认为是目前高性能手机中重要的 核心技术之一，且已被多家厂商采用，例如：iPhone 6s内新一代A9应用处理器采用新电 晶体架构很可能为鳍式电晶体（FinFET），还有三星电子Galaxy系列在内的10多款手机都 使用了FinFET。代表FinFET开始全面攻占手机处理器、三星与台积电较劲，将10 奈米 FinFET 正式纳入开发蓝图 、联电携 ARM完成 14 奈米 FinFET 制程测试。 更先进3D FinFET由美国加州大学伯克莱分校胡正明、Tsu-Jae King-Liu、Jeffrey Bokor 等三位教授发明了「鳍式场效电晶体（Fin Field Effect Transistor，FinFET） 」，把原本 2D 构造的 MOSFET 改为 3D 的 FinFET，因为构造很像鱼鳍 ，因此称为「鳍 式（Fin）」。 值得一提的是，这个技术的发明人胡正明教授，就是梁孟松的博士论文指导教授，换句话 说，梁孟松是这个技术的核心人物之一，台积电没有重用梁孟松来研发这个技术，致使他 跳糟到三星电子，让三星电子的 FinFET 制程技术在短短数年间突飞猛进赶上台湾，这才 是台湾半导体晶圆代工产业最大的危机。 KAIST IP声称，其FinFET专利技术已获英特尔(Intel)采用，该技术发明人李锺浩说：三 星曾与他讨论过该FinFET技术，之後就盗用该技术。所以主张，三星及格罗方德侵犯该公 司的「FinFET」专利技术，之後三星、格罗方格以14奈米FinFET制程技术供应晶片给高通 ，因此高通成为被告。 台积电则以16奈米FinFET制程帮苹果生产iPhone用晶片。据韩媒报导，KAIST已经计画在 蒐集证据後，准备向台积电提起诉讼。台积电内部认为，三大半导体都拒绝支付专利费用 给KAIST，显见三家半导体厂都具备自主研发的FinFET技术。 「FinFET」专利技术将是半导体厂必争之地。从半导体制程、晶片、封装到终端应用等厂 商将群起围攻，KAIST将面临一场长期性硬仗。KAIST能否求偿授权金成功？还很难说。 --

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