来源:https://goo.gl/kK6GP8 韩国首尔半导体指控美国百货业者Kmart所贩售柯达LED灯泡产品侵权 2016年9月9日，南韩LED研发制造大厂首尔半导体（Seoul Semiconductor，简称SSC）与其 子公司Seoul Viosys，向美国加州中区联邦地方法院递状控告总部位於伊利诺州的美国百 货零售连锁业者凯玛公司（Kmart）所贩售之柯达公司（Kodak）型号41063-UL之LED灯泡产 品（为原告主张之唯一侵权产品，参见下图）侵害其8项美国专利，并要求法院发布临时和 永久禁售令，过去侵权损害赔偿、依据美专利法284条之审前及审後利息和恶意侵权加重赔 偿，以及专利法285条律师费赔偿等救济。 本案较特殊之处，为原告於诉状书中虽提到侵权产品包装上存有Spotlite America Corp （营业据点位於加州，可能是进口商）以及中国制造等产品来源字样，然并未将该公司列 名被告，同时亦未将柯达公司列入指控对象，而仅控告该产品下游零售业者。由此可见， 首尔半导体在本案意在抢单，打击竞争者并抢单进入下游零售通路。 本案8项系争专利发明，涉及演色性指数（CRI）、磷光体相关组合、LED外延生长（epitaxial growth） 、LED晶片生产和多晶片安装、全向LED照明以及首尔半导体所研发之Acrich多晶片连结方 案等LED相关技术，专利资讯概述如下： 1. US 6,942,731「用於提高外延产生之量子点半导体元件的效率的方法」（Method for improving the efficiency of epitaxially produced quantum dot semiconductor components） ，2005年9月13日获准，优先权日为2000年8月30日，发明人为Roman Sellin, Nikolai N. Ledenstov与Dieter Bimberg，原专利权人为德国柏林科技大学（Technische Universitaet Berlin） ，SSC於2012年8月7日经前者转让取得本项专利；原告於诉状中主张前述系争产品至少侵害 请求项1。 2. US 7,626,209 「具有多量子阱结构有源区域的发光二极管」（Light emitting diode having active region of multi quantum well structure），2009年12月1日获准，优先权日为 2007年12月18日，发明人为Dong Seon LEE与Eu Jin Hwang，原专利权人为SSC旗下子公司 Seoul Opto Device Co., Ltd.，Seoul Viosys於2014年4月21日经前者转让取得本项专利 ；原告於诉状中主张前述系争产品至少侵害请求项1。 3. US 7,906,789「暖白光发光装置和包含前述装置的黑光模块」（Warm White Light Emitting Apparatus and Black Light Module Comprising the Same），2011年3月15日获准，优先 权日为2008年7月29日，发明人为Jung Hwa Jung 与 Sang Min Lee，原专利权人及目前持 有人皆为SSC；原告於诉状中主张前述系争产品至少侵害请求项1。 4. US 7,951,626「发光装置及其制造方法」（Light Emitting Device and Method of Manufacturing the Same），2011年5月31日获准，优先权日为2005年6月22日，发明人为 Jong Lam Lee、Jae Ho Lee、Yeo Jin Yoon、Eu Jin Hwan 与 Dae Won Kim，原专利权人 为Seoul Opto Device Co., Ltd.，Seoul Viosys於2014年4月21日经前者转让取得本项专 利；原告於诉状中主张前述系争产品至少侵害请求项9。 5. US 7,982,207「发光二极管」（Light Emitting Diode），2011年7月19日获准，优先权日 为2007年10月29日，发明人为Hwa Mok Kim、Dae Won Kim、Dae Sung Kal，原专利权人为 Seoul Opto Device Co., Ltd.，Viosys於2014年4月21日经前者转让取得本项专利；原告 於诉状中主张前述系争产品至少侵害请求项1。 6. US 8,664,638「具有高电压密度中间层的发光二极管及其制造方法」（Light-Emitting Diode Having an Interlayer with High Voltage Density and Method for Manufacturing the Same），2014年3月4日获准，优先权日为2009年8月28日，发明人为Hong Jae Yoo、Kyung Hee Ye ，原专利权人为Seoul Opto Device Co., Ltd.，Viosys於2014年4月21日经前者转让取得 本项专利；原告於诉状中主张前述系争产品至少侵害请求项1。 7. US 8,860,331「用於交流电源操作的发光装置」（Light Emitting Device for AC Power Operations），2014年10月14日获准，优先权日为2005年6月28日，发明人为Chung Hoon Lee、James S. Speck、Hong San Kim、Jae Jo Kim、Sung Han Kim、Jae Ho Lee，原专利 权人为Seoul Opto Device Co., Ltd.，Viosys於2014年4月21日经前者转让取得本项专利 ；原告於诉状中主张前述系争产品至少侵害请求项11。 8. US 9,240,529「纹理磷光转换层发光二极管」（Textured Phosphor Conversion Layer Light Emitting Diode），2016年1月19日获准，优先权日为2004年7月6日，发明人为任教 於加州大学之诺贝尔物理学奖得主日裔科学家中村修二（Shuji Nakamura）以及其同事 Natalie Fellows DeMille、Steven P. DenBaars,，原专利权人为美国加州大学，SSC为本 项专利独占性被授权人，并获准以本项专利发起侵权诉讼；原告於诉状中主张前述系争产 品至少侵害请求项1。 SSC成立於1987年，现今为南韩最大以及全球第五大LED制造商，其LED产品主要应用於照明 、户外看板、手机背光、家电产品仪表板及车用照明等领域，并自主研发多项创新技术， 及持有近千件LED相关技术专利组合。SSC旗下子公司Seoul Viosys负责开发应用在室内外 照明设备以及LED背光萤幕、电视、手机、相机及笔记型电脑等实用产品之LED晶片，Seoul Optodevice则主要从事LED磊晶生产。 SSC持有之LED技术专利组合颇为强大，并使其在法院战场上无往不利。自2010年起，SSC及 Seoul Viosys陆续对美日等LED相关产品制造商及零售业者发起多件侵权诉讼，指控对象包 含：日本光学电子零件制造商Enplas Display Device（由Enplas率先发起未侵权确认之诉 ）、南亚化（Nichia Corp.）、美国电子家电产品制造大厂Curtis International和Craig Electronics、美国百货零售者Salon Supply Store和本案的Kmart公司等。此些诉讼，最 终皆为SSC获胜或被告同意赔偿和解。然而，过去诉讼纪录显示（参见下表一），SSC亦多 次受南亚化、荷兰飞利浦（Koninklijke Philips Electronics N.V.）、美国波士顿大学 、国立成功大学以及其他小型专利授权公司等控告侵权，或与使用其LED晶片产品之照明家 具电器业者如IKEA、FEIT等同列被告；最後，SSC亦选择与原告和解，意味着其在致力於从 事创新研发之同时，仍未能免除侵权风险。 --

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