本文由PC Unboxing授权转载 无广告网页好读版：https://pcunboxing.com/trident-z5-royal-neo-2/ https://i.imgur.com/8DCqAaU.jpeg 芝奇 G.SKILL 针对 AMD AM5 平台推出了超低时序、低延迟的 DDR5-6000 MT/s CL26-36- 36-96 1.45V 规格，G.SKILL Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版 DDR5 6000 MT/s CL26 32GB (2x16GB) 双通道记忆体套装模组，内建 AMD EXPO (Extended Profiles for Overclocking) 一键超频 Profile，为电脑用户及电竞玩家带来超低延迟的高性能表现， 这次会同时搭配 AMD AM5 以及 Intel 平台进行性能实测。 G.SKILL Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版 DDR5 6000 MT/s 32GB (2x16GB) 记忆 体规格： QVL 查询序号：银色 F5-6000J2636H16GX2-TR5NS / 金色 F5-6000J2636H16GX2-TR5NG 记忆体容量：32GB (2x16GB) 超频频率：DDR5 6000 MT/s 超频时序：CL26-36-36-96 超频电压：1.45V 规格：288-Pin DDR5 UDIMM 售後保固：终身保固 尺寸：133.35 x 80 x 44 mm（长度 x 厚度 x 高度） Profile 参数：AMD EXPO 认证 (Extended Profiles for Overclocking) CL26 超低时序新规格 G.SKILL Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版 DDR5 CL26 记忆 体开箱 DDR5 记忆体的超频 Profile 时序规格从初期的 6000 MT/s CL40，随着时间推进在两家 平台与记忆体模组厂的优化与更新，现在芝奇 G.SKILL 已经推进到了 CL26-36-36-96 的 超低时序规格，本次的全新规格新增於皇家戟 EXPO、焰锋戟 RGB、焰刃 RGB EXPO 等系 列，G.SKILL 在记忆体低时序更新部分一直都是业界领头羊，期许未来能看到 CL24 甚至 CL20 以下的记忆体开始量产贩卖。 先前已经为各位带来过带有 XMP Profile 的 Trident Z5 Royal 皇家戟，以及内建 EXPO Profile 的 Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版，而今天开箱的则是时序规格更紧 同样也是 Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版记忆体，内建的 AMD EXPO (Extended Profiles for Overclocking) 超频参数为 DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V，容量版本 为 32GB (2x16GB) 的规格。 目前 G.SKILL 有在贩售 DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V 这个 Profile 规格的容量有 ：32GB (2x16GB)、64GB (2x32GB)、48GB (2x24GB)、96GB (2x48GB)，是目前铺货量产 6000 MT/s CL26 规格最快的品牌，後续也有其他中国品牌开始跟进。 https://i.imgur.com/c7mPgdZ.jpeg △ Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版 DDR5 记忆体。 https://i.imgur.com/ThSf76T.jpeg △ 本次开箱更低时序版本，DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V。 https://i.imgur.com/uTtzGLp.jpeg △ 包装内容物一览。 笔者起初会对这个规格有兴趣是因为在国外媒体网站 techpowerup.com 的文章中发现一 段有趣段落，该网站开箱 G.SKILL Trident Z5 NEO RGB DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.4V 32GB (2x16GB) 时，发现 PCB 上面焊有 RAMBUS 的 CKD 晶片，但那款型号并不是以 Trident Z5 CK 炫锋CK 这种 CUDIMM 记忆体模组的形式进行贩售，而是以普通 EXPO UDIMM 记忆体型号来贩售的，但这又很奇怪了，现在 AMD AM5 平台还不支援 CKD，所以 使用 CUDIMM 记忆体时会自动把 CKD 晶片 by pass 关闭运作，那到底为何要这样做呢？ 而这次实际在 ASRock Z890 Taichi OCF 上检视 SPD 资讯，发现笔者手上的 Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版 DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V 32GB (2x16GB) 又没有 CKD 了！後来回查发现国外媒体开箱的是 1.4V 规格，但官网上该规格已经标示为「停产 」，所以笔者个人猜测芝奇应该是先开了 1.4V 搭配 CKD 的规格，後续因为某些考量又 把该规格 EOL 掉了吧，然後再追加 0.5V 变回普通 UDIMM 进行量产，但如果我是 PM 我 就把 CL26 1.4V 加上 CKD 这个规格放在 XMP 版本的型号上使用这样更符合逻辑。 https://i.imgur.com/ogmtqTH.png △ techpowerup.com 的文章内容段落。 https://i.imgur.com/EJHfgwX.jpeg △ 但我手上的 Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版 DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V 32GB (2x16GB) 没有 CKD，看来是 6000 CL26 1.4V 停产的那个规格才会有 CKD。 外观部分就不再赘述可以参考前面两篇开箱文章，记忆体本身的高度为 44 mm，因为有着 好看的皇家钻彩导光灯条，所以更建议玩家们搭配水冷装机，避免风冷散热器挡住皇家戟 漂亮的外观！ 本次开箱的型号及规格是 Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版 DDR5-6000 CL26-36- 36-96 1.45V 32GB (2x16GB) 银色版，QVL 查询序号为 F5-6000J2636H16GX2-TR5NS，可 以同步承认的金色是 F5-6000J2636H16GX2-TR5NG。 https://i.imgur.com/sGwisxF.jpeg △ Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版 DDR5 6000 CL26-36-36-96 1.45V。 https://i.imgur.com/hj9nqWM.jpeg △ 背面规格表。 https://i.imgur.com/hj9nqWM.jpeg △ 皇家钻彩导光。 记忆体组态为 SS (Single Sided) 单面颗粒与 1R (1 Rank) 布局，单支记忆体 DRAM IC Count 规格由八个 2 GB(2048 MB) DRAM 颗粒组成。 https://i.imgur.com/lfzbMuO.jpeg △ SS (Single Sided) 单面颗粒、1R (1 Rank)、八个 2 GB(2048 MB) 颗粒。 https://i.imgur.com/bXx919G.jpeg △ 侧面检视 SPD HUB 与 PMIC 区块 「应该是有」 配置导热垫协助散热。 https://i.imgur.com/wx302eF.jpeg △ 记忆体通电灯光效果展示。 AMD Ryzen 9 9950X3D 与 GIGABYTE B650I AORUS ULTRA 平台记忆体性能测试 https://i.imgur.com/w6H5lYQ.jpeg 使用支援 DDR5 记忆体的 AMD Ryzen 9000 平台，看一下这组记忆体在 AMD 平台表现如 何，使用 AMD Ryzen 9 9950X3D 处理器以及 GIGABYTE B650I AORUS ULTRA (rev. 1.0) 主机板，来测试G.SKILL Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版 DDR5 记忆体的性能与 超频空间，主机板 BIOS 更新至 F35 版本进行测试。 测试平台 处理器：AMD Ryzen 9 9950X3D (PBO AUTO) 散热器：LIAN LI GA II LITE 360 RGB（全速） 主机板：GIGABYTE B650I AORUS ULTRA（BIOS 版本：F35） 记忆体：G.SKILL Trident Z5 Neo RGB DDR5 6000 MT/s 32GB (2x 16GB) CL 26-36-36- 96 1.45V 显示卡：NVIDIA GeForce RTX 4060 Ti Founders Edition 8GB 作业系统：Windows 11 专业版 24H2 系统碟：Kingston A2000 NVMe PCIe SSD 500GB 测试硬碟：Kingston FURY Renegade G5 2TB PCIe 5.0 NVMe M.2 SSD（格式化空碟） 电源供应器：LIAN LI SP850 机壳：Streacom BC1 Mini V1 ITX Open Benchtable 在主机板的 BIOS 中，可以看见这组记忆体内建一个 Profile 超频设定档，DDR5 6000 MT/s CL26-36-36-96 1.45V 给 AMD EXPO 用。 https://i.imgur.com/9Cu7k4t.jpeg △ G.SKILL Trident Z5 Royal Neo DDR5 Profile 检视，2025 第 26 周生产，Richtek JEDEC PMIC。 https://i.imgur.com/IOyW1g0.jpeg △ JEDEC 频率为 DDR5 4800 MT/s。 由 CPU-Z 来检视 AMD Ryzen 9 9950X3D 与 GIGABYTE B650I AORUS ULTRA 测试平台， SPD 页面可以看到 G.SKILL Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版 DDR5 6000 MT/s 记 忆体使用 SK Hynix 记忆体颗粒，支援最新 AMD EXPO (EXtended Profiles for Overclocking) 一键超频 Profile。 但 SPD HUB 内仅烧录一组 Profile 参数而已，其余都是 JEDEC 时序频率参数。 https://i.imgur.com/xTKu5dZ.jpeg △ AMD 平台 CPU-Z。 使用 AIDA64 Cache & Memory Benchmark 测试 G.SKILL Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版 DDR5 6000 MT/s CL26 32GB (2x16GB) 记忆体的读写性能，在 JEDEC 频率 4800 MT/s 测试读取速度为 60.5 GB/s、写入速度为 62.1 GB/s、复制速度则是 55.7 GB/s， 而延迟为 94.6 ns。 开启 EXPO Profile 1 的 DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V 後，读取速度为 75.8 GB/s 、写入速度为 76.2 GB/s、复制速度则是 66 GB/s，而延迟为 76.9 ns。 https://i.imgur.com/TCc631g.jpeg △ 预设 JEDEC 频率: DDR5-4800 CL40-40-40-77 1.1V_AMD 平台测试成绩。 https://i.imgur.com/sQwa0GG.jpeg △ EXPO Profile 1: DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V_AMD 平台测试成绩。 接着属於手动超频的范围，稍微小调一下设定在保持 DDR5 6000 MT/s CL26-36-36-96 1. 45V 这个参数下，进一步提升整体读写频宽以及压低延迟，读取速度为 81.6 GB/s、写入 速度为 84.2 GB/s、复制速度则是 72.1 GB/s，而延迟为 64.6 ns。 接着属於手动超频的范围，稍微小调一下设定在保持 DDR5 6000 MT/s CL26-36-36-96 1. 45V 这个参数下，进一步提升整体读写频宽以及压低延迟，读取速度为 81.6 GB/s、写入 速度为 84.2 GB/s、复制速度则是 72.1 GB/s，而延迟为 64.6 ns。 https://i.imgur.com/pRUWD0w.jpeg △ 保持 EXPO Profile 1 但小调手动超频设定_AMD 平台测试成绩。 OCCT MEMORY BENCHMARK CONFIGURATION 基准性能测试，该项目会针对记忆体进行测试得 出三项成绩，每个分别代表着记忆体的读取性能、记忆体的写入性能、记忆体同时运行读 写测试的性能。 而 LATENCY / BANDWIDTH BENCHMARK CONFIGURATION 则是代表着记忆体的延迟和频宽。 https://i.imgur.com/gk1aRMi.jpeg △ 预设 JEDEC 频率: DDR5-4800 CL40-40-40-77 1.1V_AMD 平台测试成绩。 https://i.imgur.com/oogzYaa.jpeg △ 预设 JEDEC 频率: DDR5-4800 CL40-40-40-77 1.1V_AMD 平台测试成绩。 https://i.imgur.com/HiAopGu.jpeg △ EXPO Profile 1: DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V_AMD 平台测试成绩。 https://i.imgur.com/Jtk0uOP.jpeg △ EXPO Profile 1: DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V_AMD 平台测试成绩。 OCCT MEMORY BENCHMARK CONFIGURATION 基准性能测试的 Custom 模式，会以图表方式呈 现出记忆体在不同档案大小 (8 KiB 到 4 GiB) 进行测试时的延迟、读取、写入。 https://i.imgur.com/dBzDZ5P.jpeg △ 预设 JEDEC 频率: DDR5-4800 CL40-40-40-77 1.1V_AMD 平台测试成绩。 https://i.imgur.com/SyiYxfa.jpeg △ EXPO Profile 1: DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V_AMD 平台测试成绩。 RAM Test Pro Memory Benchmark 旨在测量 DDR5、DDR4、DDR3 和 DDR2 记忆体的性能， 该软体可以测试出：(1) 连续读取、写入和复制频宽 / (2) 随机读取、写入和复制频宽 / (3) 读写延迟 / (4) 对不同大小的 Block 进行随机存取的延迟等性能。 https://i.imgur.com/Njzgczv.jpeg △ 预设 JEDEC 频率: DDR5-4800 CL40-40-40-77 1.1V_AMD 平台测试成绩。 https://i.imgur.com/kB8vBjZ.jpeg △ EXPO Profile 1: DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V_AMD 平台测试成绩。 记忆体散热性能测试 接着透过 OCCT MEMORY CONFIGURATION 针对记忆体的压力稳定度进行测试，手动设定软 体的记忆体负载为 99%，记忆体测试设定为记忆体 EXPO Profile 1 参数 DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V，测试场景为室内温度 23 °C 密闭冷气房间内进行实际测试，而 数据收集则使用 HWiNFO64 收集并纪录测试一小时後 SPD Hub 的温度，最高温度为 64.8 °C。 要提醒大家的是测试平台是摆在 Streacom BC1 Mini V1 ITX Open Benchtable 裸测平台 上进行测试，而且记忆体没有额外的风扇辅助散热，但大多数的使用者会在机壳上方安装 排风风扇协助进行散热，笔者的测试环境以及测试软体都比日常使用更加严苛，因此这边 的温度测试仅供参考。 https://i.imgur.com/AVuDXyY.jpeg △ 无风扇进行 OCCT MEMORY CONFIGURATION 温度压力测试，SPD Hub 最高为 64.8 °C 。 Intel Core Ultra 9 285K 与 ASRock Z890 Taichi OCF 平台记忆体性能测试 https://i.imgur.com/1I7uqUJ.jpeg 测试平台 处理器：Intel Core Ultra 9 285K QS 散热器：Valkyrie E360（全速） 水冷扇：LIAN LI UNI FAN P28（全速） 主机板：ASRock Z890 Taichi OCF ( BIOS 版本：3.07) 记忆体：G.SKILL Trident Z5 Neo RGB DDR5 6000 MT/s 32GB (2x 16GB) CL 26-36-36- 96 1.45V 显示卡：NVIDIA GeForce RTX 4080 Founders Edition 作业系统：Windows 11 专业版 24H2 系统碟：Plextor PCIe Gen3 x4 M.2 2280 SSD 512GB 游戏碟：XPG GAMMIX S70 PRO PCIe Gen4 x4 M.2 SSD 4TB 机壳：STREACOM BC1 Benchtable V2 同样由 CPU-Z 来检视测试平台规格已经相关资讯。 https://i.imgur.com/KyT8tmi.jpeg △ Intel 平台 CPU-Z。 使用 AIDA64 Cache & Memory Benchmark 测试 G.SKILL Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版 DDR5 6000 MT/s CL26 32GB (2x16GB) 记忆体的读写性能，在 JEDEC 频率 4800 MT/s 测试读取速度为 73 GB/s、写入速度为 67.1 GB/s、复制速度则是 68.1 GB/s，而 延迟为 106.5 ns。 开启 EXPO Profile 1 的 DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V 後，读取速度为 90 GB/s、 写入速度为 82.3 GB/s、复制速度则是 85.2 GB/s，而延迟为 88.4 ns。 https://i.imgur.com/rxVNuFq.jpeg △ 预设 JEDEC 频率: DDR5-4800 CL40-40-40-77 1.1V_Intel 平台测试成绩。 https://i.imgur.com/Df1Vuuk.jpeg △ EXPO Profile 1: DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V_Intel 平台测试成绩。 後续手动超频至 DDR5 9600 MT/s 进行测试，读取速度为 132 GB/s、写入速度为 104.3 GB/s、复制速度则是 138.5 GB/s，而延迟为 87.2 ns。 https://i.imgur.com/mfoWFQY.jpeg △ 手动超频到 9600 MT/s_Intel 平台测试成绩。 OCCT MEMORY BENCHMARK CONFIGURATION 基准性能测试，该项目会针对记忆体进行测试得 出三项成绩，每个分别代表着记忆体的读取性能、记忆体的写入性能、记忆体同时运行读 写测试的性能。 而 LATENCY / BANDWIDTH BENCHMARK CONFIGURATION 则是代表着记忆体的延迟和频宽。 https://i.imgur.com/YWxHZkS.jpeg △ 预设 JEDEC 频率: DDR5-4800 CL40-40-40-77 1.1V_Intel 平台测试成绩。 https://i.imgur.com/Ch4sY8l.jpeg △ 预设 JEDEC 频率: DDR5-4800 CL40-40-40-77 1.1V_Intel 平台测试成绩。 https://i.imgur.com/wTYAbCq.jpeg △ EXPO Profile 1; DDR5-6000 CL36-36-36-96 1.45V_Intel 平台测试成绩。 https://i.imgur.com/NjkTVQU.jpeg △ EXPO Profile 1: DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V_Intel 平台测试成绩。 OCCT MEMORY BENCHMARK CONFIGURATION 基准性能测试的 Custom 模式，会以图表方式呈 现出记忆体在不同档案大小 (8 KiB 到 4 GiB) 进行测试时的延迟、读取、写入。 https://i.imgur.com/TG9vLFt.jpeg △ 预设 JEDEC 频率: DDR5-4800 CL40-40-40-77 1.1V_Intel 平台测试成绩。 https://i.imgur.com/uTd82Rn.jpeg △ EXPO Profile 1: DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V_Intel 平台测试成绩。 RAM Test Pro Memory Benchmark 旨在测量 DDR5、DDR4、DDR3 和 DDR2 记忆体的性能， 该软体可以测试出：(1) 连续读取、写入和复制频宽 / (2) 随机读取、写入和复制频宽 / (3) 读写延迟 / (4) 对不同大小的 Block 进行随机存取的延迟等性能。 https://i.imgur.com/gZ7rpdh.jpeg △ 预设 JEDEC 频率: DDR5-4800 CL40-40-40-77 1.1V_Intel 平台测试成绩。 https://i.imgur.com/htiILBY.jpeg △ EXPO Profile 1: DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V_Intel 平台测试成绩。 总结 https://i.imgur.com/6PYs18i.jpeg 这一次开箱芝奇 G.SKILL 全新超低延迟 DDR5 记忆体双通道模组套装 DDR5-6000 MT/s CL26-36-36-96 1.45V 32GB (2x16GB)，G.SKILL Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版 专为 AMD Ryzen 9000 系列桌上型处理器及 X870 系列晶片组主机板平台打造，在开启内 建於记忆体 SPD 内的 AMD EXPO (EXtended Profiles for Overclocking) 一键超频 Profile 後，就可以轻松体验 DDR5-6000 MT/s CL26 超频性能为极限超频用户与高端电 脑玩家提供高性能记忆体选择。 低 CL 值对於主机板同样有所要求，各位玩家在购买前可以先透过 QVL 查询序号：银色 F5-6000J2636H16GX2-TR5NS / 金色 F5-6000J2636H16GX2-TR5NG，去主机板型号官网或是 G.SKILL 官网去查询是否已经通过 QVL 相容性验证，会相对保守一些。 讲句实话，笔者个人其实一开始是因为看到国外网站开箱 DDR5-6000 MT/s CL26-36-36- 96 1.4V 是有搭载 CKD 才有兴趣的，想说看看 G.SKILL 到底是为什麽想要这样安排，但 可惜该规格（1.4V 加上 CKD）已经 EOL 停产了，笔者本次拿到的 DDR5-6000 MT/s CL26 -36-36-96 1.45V 32GB (2x16GB) 经过检视已经不再搭载 CKD 了。 https://i.imgur.com/hwlIX2V.jpeg 根据实测在 AMD AM5 的 GIGABYTE B650I AORUS ULTRA 测试平台上，从 JEDEC 频率的 4800 MT/s 超频到 6000 MT/s 後，在 AIDA64 测试中获得了 25.2 % 读取性能、22.7 % 写入性能、18.4 % 复制性能提升，并进一步降低了 18.7 % 的延迟时间，後续也在保持 DDR5-6000 CL26-36-36-96 1.45V 的规格下进一步压低延迟至 64.6 ns。 而 Intel 的 ASRock Z890 Taichi OCF 测试平台上，在开启 AMD EXPO Profile 後，於 AIDA64 测试中获得了 23.2 % 读取性能、22.6 % 写入性能、25.1 % 复制性能提升，并 进一步降低了 17 % 的延迟，後续也已两条记忆体 (Dual-Channel mode) 模式於 1DPC( 1DIMM Per Channel) 上手动超频至 9600 MT/s 并通过跑分测试。 在一小时的温度测试之中，G.SKILL Trident Z5 Royal Neo 皇家戟 EXPO 版 DDR5 6000 MT/s CL26 32GB (2x16GB) 在裸测平台上进行测试，没有额外风扇直吹记忆体的情况下 SPD Hub 最高温度为 64.8 °C。 --

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