分享一下小弟的浅见 下一代 14nm 所用的曝光系统和之前完全不同 目前都是使用 193nm ArF 光源 搭配浸润式微影 (immersion lithography) 解析度极限大约是 193*0.25/1.44=33.5nm (0.25=k1 1.44=NA 这边物理就不细讲了) 要做这个尺寸以下 需要使用双图样微影技术 (double patterning lithography) 简单来说 就是做一格图案分两次曝光 详细请看 http://en.wikipedia.org/wiki/Multiple_patterning (文中提到 Intel 65nm 之後其实已经开始用此技术 如果要做到 15nm可能需要分三次) 但分n次曝光=做同样量的晶圆需要 n倍时间 or n倍数量的机台 曝光机是FAB中最贵的机台 (一台约数千万美金) ---------------------下面开始是重点--------------------- 以上的问题各公司都知道 於是约 10年前曝光机的龙头厂商 ASML 开始发展EUV EUV 全名 Extreme ultraviolet lithography (极紫外光) 目前使用 13.5nm波长 产生方法是用高功率 CO2 laser去 轰击锡粒 (详细机制可能有点复杂) 其实它的波长已经可以算是 X-ray 但因为之前有人研究使用 hard X-ray(波长更短) 曝光结果最後失败 (原因麻烦补充) 不想用类似的名称所以选择 EUV 拉回来 EUV使用13.5nm波长的光 是193nm 的1/14 解析度 CD=λ*k1/NA 虽然NA、k1没有193nm好 但波长短很多 所以解析度还是可以好很多 目前 EUV的曝光机台只有预量产型 (NXE:3100) 问题出在光源功率 (出光亮)不够 所以曝光时间会被拉长 (简单来说就是产量不够) 所以还不合乎生产成本 (曝光机很贵!) 现在还在研究如何让功率更高 (约需要提升10倍) 以达到需求 附上一些相关的文章和reference: ASML: EUVL into production with ASML’s NXE platform http://tinyurl.com/ktysqh7 Wikipedia: Extreme ultraviolet lithography http://tinyurl.com/yln53s4 imec: Lithography options for the 31nm half pitch node http://tinyurl.com/kms6ysn ASML: EUV lithography: today and tomorrow http://tinyurl.com/mpv5kz7 ASML: EUV lithography into production at chipmakers ~update on ASML's NXE platform~ http://tinyurl.com/n2qwpnt Wikipedia: Next-generation lithography http://tinyurl.com/kj5phes 结论: Intel下个世代可能想用 EUV 但目前技术还不够成熟 而 multiple pattering 成本过高 (定位相同的 CPU 价格1.5倍你想买?) 补充: 推文提到TSMC 其实全世界最高阶的制程瓶颈都在这边 Intel TSMC samsung 都有投资 ASML (股票分布 15% 5% 3%) 所以台积电也没什麽好超越的 我猜曝光机 Intel还是会抢到最多 (文中提到的NXE:3100 今年只出货11台XD) 感谢看完 欢迎来信讨论~ (小弟只是对半导体有兴趣的大学生 ) 麻烦前辈纠正&补充 ※ 引述《f91jacky (爱抚久)》之铭言： : 14nm进展不顺 Intel下一代Broadwell跳票2015 : 多年来Intel一直按照其Tick-Tock的步伐稳步前进，今年是Intel的“Tock年”，刚刚发 : 布的Haswell处理器在制造工艺不变（和Ivy Bridge同为22nm）的前提下将架构升级。而 : 按照这个策略来看的话，Intel的Broadwell处理器将会於明年发布，架构不变，但将制造 : 工艺升级至14nm，其发布时间应该是明年二季度。 : 遗憾的是VR-Zone在今天爆料称明年我们看不到Broadwell处理器了，能等到的只有升级版 : 的Haswell，Broadwell处理器要等到2015年才能出现。至於跳票的原因，有分析称是 : Intel的14nm工艺进展不太顺利，到明年根本无法满足量产的需求，当然这只是猜测，具 : 体原因应该只有Intel自己才知道了。 : 笔者认为Intel放慢增长的步伐跟AMD也是有一定关系的，毕竟其推土机和打桩机都对 : Intel现有的处理器无法造成任何威胁，这让Intel推陈出新的动力越来越小，而且消费者 : 也并不一定认可这种频繁的升级策略。 : 下面我们来说说明年的升级版Haswell，虽然Broadwell跳票了，但其配套的9系晶片组将 : 会在明年和升级版Haswell共同推出。升级版的Haswell处理器在架构方面不会有什麽变化 : ，但是频率必然会有所提升。 : 9系晶片组方面目前曝光的讯息还不多，可以确定的是它在8系晶片组的基础上会增加 : SATA Express界面的支援，磁片速度达到了1GB/s，另外还会支援更大容量的存储设备以 : 及硬体底层防毒。 : 至於升级版Haswell处理器的发布时间有可能会在明年的第二季度早期，但这只是猜测。 : from: http://news.mydrivers.com/1/265/265359.htm : ------------------------------------------------------------------------------ : Broadwell要等两年吗?! : INTEL: 多让你一年，你能追多少呢! (菸) --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc) ◆ From: 140.109.55.232 我第一次听到也觉得很夸张... 完全猜中!! mo大也在做相关领域? 所以mo大以前是在IAMS? 地下室?? (不懂??) 感谢AX大补充 以上每样都是另一个故事了XD ※ 编辑: FTICR 来自: 140.109.55.232 (06/03 20:18) 感谢fa大 nanoimprint我听说过 不过不知道现在发展到哪里 相关讯息好像不多 如果可以做到整片wafer一次压印 throughput 可以超级大~ 听说未来量产型机台 (NXE:3300) 好像高於这个价格? ※ 编辑: FTICR 来自: 140.109.55.232 (06/03 20:50)