作者SunsetC (暮阳)
看板Notebook
标题[问题] DELL笔电记忆体扩充
时间Sun Aug 11 18:02:36 2013
厂牌:Dell
型号:Vostro 2521
购入日期:2013/08/05
距上次使用正常时间:一直很正常
OS版本:WIN7
平常作业内容:LOL/文书处理
有无内建还原功能(Y/N):应该有（？
问题内容:
不太确定应该在笔电版发问还是硬体版发问，如有违板规还请见谅>"<
新买了一台Dell vostro 2521笔电，
目前跑LOL，特效开Low，FPS大概在27-40间游移，平均大概在30；
开机windows大概跑20秒左右（没装什麽软体）
爬文建议是将记忆体升到8G，笔电效能会比较好。
1.想请问，依照下文後附的配备+原厂说明书所说的记忆体配置，
是否可装4G*2跑双通道？
另外，刚花了一番力气把笔电背盖拆开（目前处於盖子卡不紧的惨况中XD"），
发现记忆体是SAMSUNG DDR3，
上面写着4GB 1Rx8 PC3L -12800S-11-11-B2，产地中国，
另有一行是M471B5173CB0-YK0。
在我原本的预期中，本来是想加装金士顿的DDR3 4G一条，
但爬文後发现双通道理想上要同场同规格、冲突的机率才小，也才能运作，
2.如果双通道可行，是否会建议直接买他牌两张4G取代原厂那条？
3.又，在笔电效能+游戏运作顺利的前提下，
单插一条8G会比较符合我的需求，还是4G*2跑双通道比较好呢？
文略长，先谢谢各位板友帮忙解惑 ^^"
原厂配备如下：
处理器：Core i3-3227U
主机板晶片：Intel HM76
主记忆体：4GB DDR3 1600MHz
显示晶片规格：AMD Radeon HD 7670M 1GB / 内显INTEL HD 4000
扩充插槽：2 slot
原厂说明书中关於此型号的记忆体说明：
记忆体连接器： 2 个内部可触及的 DDR3/DDR3L 连接器
记忆体容量： 2 GB 和 4 GB
记忆体类型： 1600 MHz，双通道 DDR3 组态
最小记忆体： 2 GB、4 GB、6 GB 和 8 GB
最大记忆体： 8 GB
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 124.12.48.222
1F：→ gbcg9725:CPU太弱了...根本不是RAM的问题 08/11 20:42
2F：→ gbcg9725:开工作管理员看看记忆体使用量吧 08/11 20:48
3F：→ SunsetC:所以就算升到8G也毫无影响吗？>"< 08/11 23:23
4F：→ gbcg9725:先边开LOL 边看工作管理员的使用率先.. 08/11 23:28
5F：→ gbcg9725:加RAM可能有帮助但效果有限 08/11 23:29