※ 引述《swaidatol (乳牛小喇叭)》之铭言： : 抱歉 : 我不是学材料的 : 选修的老师出了几个题目给我们 : 1(XPS) 2(AES) 3(SIMS) 这几个能谱仪(不知道有没有说错)的原理 X射线光电子能谱仪 XPS 在X光的照射下，内层电子因受激而从材料表面发射出来。其中不同的元素带有不同的特性 值。例如矽2p电子的束缚能是99.3eV，而在SiO2中这一能量将变为103.5eV。电子的束缚能 不但是元素的特徵值而且还包含了元素的化学资讯。例如对两个颜色不同的Si晶片进行分 析。Si2p电子的能谱显示浅色的Si晶片在表面下埋藏着一层SiO2。由Si+4所发射 的能量为103.5 eV的电子大量增加。而正常颜色的矽，除了表面自然氧化形成的薄SiO2膜 ，表面以下就是纯净的Si。 XPS广泛应用於电介质膜的分析。XPS能够对SiON薄膜的厚度和N的剂量进行精确的测定， 其相对标准误差为0.2%。 欧杰电子能谱仪AES 在一定能量的入射电子轰击下，从样品表面发射出的欧杰电子，具有元素的特性动能。 因此，其能量代表一个特定的元素，而其电流的强度正比於元素的浓度。AES广泛用於 失效分析和制程监控。在表面微小颗粒(小到50nm)的分析中，AES不但可以显示微颗粒的 大小及形状，还可以分析出颗粒的化学成分。在电性测试连接区域失效分析中，往往失效 的原因来自於电性测试连接区域表面的氧化、C污染和表面残留物。AES能够测定污染物的 化学成分，从而为找出污染源提供重要证据。此外AES可以对整个晶片(200~300mm)进行晶 片缺陷的分析 二次离子质谱仪 SIMS SIMS的特点是超高的灵敏度和极佳纵向深度解析度。这种特性刚好满足IC技术的要求， 即低浓度(ppm甚至ppb的水准)；高解析度则可以将材料在奈米(nm)范围内的变化显现出来 。因此，SIMS是所有分析技术中应用最广泛的技术。EVANS分析集团总共拥有二十多台SIMS ，以满足各种精度、厚度和材料分析的需求。 二次离子是材料在具有一定能量的入射离子轰击下通过碰撞而产生的。经加速後进入二次 离子质谱分析系统。经过电、磁场的偏转，将离子按质量不同而分开。二次离子电流经过 转换即可得到元素的浓度。其转换系数是通过标准样品的测试而得到的。当杂质的浓度低 於材料密度的1%时，其转换系数RSF是一个常数。因此，SIMS是用於浓度小於1%元素定量分 析的最佳手段。其相对标准误差s一般可以控制在5%以内。而EVANS分析集团提供的高精度 分析可达到s小於2% 。SIMS能够显示污染在样品中的分布情形，对於找出污染源提供了直 接的证据。 下面两个比较简单 就交给辜狗大神吧 : 在网路上只找到他们叫能谱仪 但找不到原理 : 还有 4. Hall measurement : 变温霍尔效应量测系统Hall Measurement, 应用於化合物半导体, 矽半导体, 电子及光电 : .....等材料上.藉由霍尔效应,可以得到半导体材料的型态(type)与掺杂浓度(carrier : concentration)及移动率(mobility) : 再来就是5. Four-point probe 4点量测系统 : 期末考题只剩下这5题找不到了 : 我想知道的再详细一点 但好像都是常识一般 大家都没说原理 : 所以有高手能帮我解释一下吗 : 或是给我介绍的连结也可以 需要是中文的 谢谢 希望大家能帮帮我的忙 --

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