※ 本文是否可提供台大同学转作其他非营利用途？（须保留原作者 ID） （是／否／其他条件）：否 哪一学年度修课：110-1 ψ 授课教师 (若为多人合授请写开课教师，以方便收录) 胡振国教授 λ 开课系所与授课对象 (是否为必修或通识课 / 内容是否与某些背景相关) 电子所、电机所 选修 δ 课程大概内容 1.PH:金氧半物理 (MOS Physics) 2.CV:金氧半电容特性 (MOS CV Characteristics) 3.IT:界面陷阱特性 (Interface Trap Characteristics) 4.SO:矽及氧化层特性 (Si and Oxide Characteristics) 5.FET:金氧半场效电晶体(MOS Field Effect Transistor) 6.OTB:氧化层电荷抓陷及崩溃(Oxide Trapping and Breakdown) (17、18 弹性教学) Ω 私心推荐指数(以五分计) ★★★★★ 想了解半导体元件特性： ★★★★★ 讨厌背公式： ★★ η 上课用书(影印讲义或是指定教科书) 老师手写讲义，主要是整理Nilollian、Tsividis(同Ceiba)，也包含很多paper。 这学期全线上，所以都是把电子档放在网路上供下载。电子档里面包含老师已经 划好的重点跟补充内容，有种在读全校第一名的精美笔记的感觉XD μ 上课方式(投影片、团体讨论、老师教学风格) 实体上课+同步直播，不录影。感觉老师满用心在教学上的，虽然是线上上课 但感觉课程品质还是满好的。老师也很耐心回答同学的大小问题。 老师常说他不赶进度，而且哪边是重点、哪边可以看过有印象就好，上课都会 很明确地说出来，加上讲义又是自己写的，所以上课节奏很流畅。 σ 评分方式(给分甜吗？是紮实分？) 个人觉得凉度普通，给分很甜 期中、期末考卷都是老师自己改，扣分扣得很少。期末考有一题公式背错，导致接连 五个小题算出来的数字都错，结果只被扣了5分。完全不敢相信自己值得这个分数XD ρ 考题型式、作业方式 4次作业、期中考、期末考 作业都是翻讲义就能找到的公式，不太需要花时间想或上网找资料。考试大部分都 考作业内容，或是上课讲「这个一定是必考题」的地方，所以好像也不用花太多时 间准备。前两次作业需要用程式简单的跑一下公式，大概20行内而已。 虽然讲起来好像很简单，也不会考上课讲的推导，不过公式的确是有点多。但背起来 之後就只剩下按计算机而已了。 ω 其它(是否注重出席率？如果为外系选修，需先有什麽基础较好吗？老师个性？ 加签习惯？严禁迟到等…) 不注重出席率，不过我觉得因为讲义是老师浓缩两本书的精华後再自行编排，所以 如果自读的话效果会打满大的折扣。後来还是努力在早九醒来。 这门研究所的选修好像也有满多大学部的学生来修。建议是具备一点固态电子学的知识 再来修会比较有概念。例如期中考以前有满大的篇幅在讲flatband voltage如何受到 其他电荷的影响、C-V curve的意义等；期末考内容则包含Vt variation、radiation、 body effect、SCE等。对於固态电子学有点基础认识的话，才不会觉得这堂课一直在 背公式，而是可以从这些公式推导中找到一点乐趣。 老师真的很和蔼慈祥，印象中每次看到老师都是笑容满面，真的很厉害。这堂课上限 80人，但依稀记得U meeting人数+现场好像有到100多人过，所以应该是全签吧。 Ψ 总结 修完固电或对奈电想要多一点的了解，这门课满适合当作入门课之一。 --

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