※ 本文是否可提供台大同学转作其他非营利用途？（须保留原作者 ID） （是／否／其他条件）：是 哪一学年度修课： 107-1 ψ 授课教师 (若为多人合授请写开课教师，以方便收录) 胡振国 λ 开课系所与授课对象 (是否为必修或通识课 / 内容是否与某些背景相关) 电子所 选修 δ 课程大概内容 1. Field Effect 2. Metal Oxide Silicon Capacitor at Low Frequencies 3. Metal Oxide Silicon Capacitor at Intermediate and High Frequencies 4. Extraction of Interface Trap Properties from the Conductance 5. Extraction of Interface Trap Properties from the Capacitance 6. Measurement of Silicon Properties 7. Charges, Barrier Heights, and Flatband Voltage 8. Charge Trapping in the Oxide 9. The Two-Terminal MOS Structure 10. The Three-Therminal MOS Structure 11. The Four-Terminal MOS Structure 12. Small-Dimension Effects Ω 私心推荐指数(以五分计) ★★★★★ ★★★★★ η 上课用书(影印讲义或是指定教科书) MOS Physics and Technology (E. H. Nicollian) Operation and Modeling of the MOS Transistor (Yannis Tsividis) μ 上课方式(投影片、团体讨论、老师教学风格) 教授手写讲义及教授讲义投影片上的大量笔记 σ 评分方式(给分甜吗？是紮实分？) 虽然还没公布成绩，但我感觉应该是偏甜？ ρ 考题型式、作业方式 1. 考题大概有一半跟作业相似，其余则是教授上课时提点的「必考」 2. 作业都是各种重要公式的应用，前几次作业会用到程式来画些方程式的图。 ω 其它(是否注重出席率？如果为外系选修，需先有什麽基础较好吗？老师个性？ 加签习惯？严禁迟到等…) 首先这堂课会需要你能"接受"能带图随电压改变的基本观念。所谓的 接受，有很多种程度之分。你可以只是看过很多个电压对能带的影响， 然後知道能带较低的地方，就是电位较高。你也可以是知道如何在 Semiclassical model 底下，去了解电位 potential 如何影响到电子 在特定能带 n 上的 Hamiltonian，进而影响到 band energy 的上下平移。 有的人会觉得难接受，有的人觉得好接受。在这基础上，会比较好理解 後面的 VG = VFB + Vox + ψs 公式（或是 VG = ΔVox +Δψs？）在 考虑介面缺陷与氧化物电荷时的公式修正原理。不过老师都会努力用 各种方式让你接受这些非常基础的公式，所以即便不太懂能带，我想 也是可以很快就接受的。 再来是，因为老师希望能尽量多教一点，所以有一些概念或定义可能 不会讲得非常清楚，这时我个人就非常推荐读课本。因为我的资质比较 不好，我看有人觉得简单，但我学的时候经常充满问题 XD 所以我基 本上是把教授教的所有范围的课文都读了一次。教授的讲义完全是浓缩 Nicollian & Tsividis 的书。撇除 Nicollian 在电场或高斯定律(?) 的莫名其妙写法以外，其他部分我都觉得写得非常好！经常半夜读得 欲罢不能。任何不清楚的地方，都可以从课本找到很好的答案。因为 教授知道大家不太能接受太数学的东西，此时如果你刚好跟我一样想 多了解一点为什麽，像是 Nicollian 究竟如何探讨主要载子与少数载 子的响应时间？或是那些等效电路到底是怎麽「化简」出来的？课本 都能给你很详细的推导。再来，读课本可以让你用比较广的视野去看 教授的讲义。例如说，我们在学 Four-terminal MOS 时会提到一个 所谓的δ参数，用以线性近似在 strong inversion region 之空乏区 电荷分布。课本会让你知道原来教授教的只是 Source-referenced model， 实际上还有 Body-referenced model，以及更广义的写法等。 不过如果你只是想考高分的话，那当然完全不需要知道这些，事实上 教授的讲义已足以让大家掌握观念，只要你上课有勤抄笔记，应该 都不成问题，笔记是非常重要的，而且据我所知教授也不外流笔记。 另外我个人很推荐教授的一点是他的教学热忱。就我过去的经验，教 授是少数不仅对教育有热忱（应该有吧？虽然我只修过教授这堂课） 且又刚好是这门学科的专家，所以这堂课应该可以让你感受到大师的 风范？他的第一堂入门课是最吸引我的。虽然我忘记具体内容，但他 用非常神乎其技的方式，完整说明了我们接下来到底要学些什麽。所 谓台上十分钟，台下十年功，真的是这样。 另外我个人每堂课都有录音，虽然我自己都没在听 XD 不过有同学觉 得录音档帮助非常大，所以我想应该满推荐大家录音的。 最後是，因为我自己的研究主题就是跑模拟，所以我经常会用到许多 公式的近似，这堂课会让你额外学到很多近似的精神。其实很简单， 例如说，很多时候虽然这条公式不好用，但若我们恰当地选择区间， 就可以将这公式用比较直观的方式表达，像是恰好与其对数呈正比或 恰好呈线性等。也因为我的主题让我必须了解「究竟一个元件是怎麽 运作的？」，所以虽然主题是 MOS，金属—氧化物—半导体电容元件， 但其实我也从这了解到非常多探讨元件诸多特性的基本方法，像是怎 麽用电容测量掺杂浓度，介面缺陷密度如何影响电容，什麽样的缺陷 才能对 SRH 载子复合产生速率有所贡献，怎麽去评估元件启动与关闭 的速率等。虽然实际在处理这些议题时所使用的公式或观念可能都远 比课堂内容复杂非常非常多，但就以一门导论课而言，这堂课应该可 为你省下一些初步了解那些艰涩观念所需的心力。 Ψ 总结 如果你跟我一样，对於奈米电子元件的运作原理——如何从单纯的PN接 面建构出许许多多奇妙功能——感到很有兴趣的话，那麽这应该会是一 门很适合你的课。 --

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