※ [本文转录自 NTUST_Talk 看板] 作者: kokonut (再看表特就剁手) 看板: NTUST_Talk 标题: [哈啦] 电路学大发现 - 传说中「忆阻器」现形 时间: Sat Jun 14 12:59:38 2008 http://www.nature.com/nature/journal/v453/n7191/pdf/nature06932.pdf http://www.spectrum.ieee.org/may08/6207 http://www.eetimes.com/showArticle.jhtml?articleID=207403521 http://www.eettaiwan.com/ART_8800521327_628626_NT_a35f2c00.HTM 电路学大发现──传说中的「忆阻器」现形 惠普实验室(HP Labs)的资深院士R. Stanley Williams不久前成功地证实了 有关「忆阻器(memristor)」的学说──所谓的忆阻器是指电子电路中除了 电阻、电容与电感之外的第四种被动元素，早在1971年就由美国加州柏克莱 大学教授Leon Chua所提出，不过当时仅是初步发现，直到日前才由HP正式发 表。而此一成果也意味着相关教科书必须重新改写。 忆阻器概念的创始人Chua表示：「我的处境跟1869年发明化学元素周期表的 俄罗斯化学家Dmitri Mendeleev很类似；Mendeleev当时假设该周期表上有许 多失落的元素，而现在所有的化学元素都已经被发现了。同样的，来自HP Labs 的Stanley Williams发现失落的电路元素──忆阻器。」 Chua当时是以数学推论电子电路在电阻、电容与电感之外还有第四种元素；他 将之命名为忆阻器的缘故，是因为该元素会透过电阻的改变「记忆」电流的变 化。而现在HP则宣称发现了首个忆阻器的实例──它是由一片双层的二氧化钛 (bi-level titanium dioxide)薄膜所形成，当电流通过时，其电阻值就会改变 。 「此一新发现的电路元素可解决今日电路学上的许多问题，因为当其尺寸缩小， 其性能也会提升。」Chua.表示：「忆阻器可实现非常小的奈米等级元件，且不 会产生现今将电晶体尺寸缩小的过热问题。」 HP已在其超高密度纵横式交换器(crossbar switches)中测试过以上元素，该交 换器使用奈米线(nanowires)达到在单晶片中储存100Gbits容量资料的记录；而 目前最高密度的快闪记忆体晶片则可储存16Gbits的资料。 「我们花了多年时间寻找应用在超高密度奈米线纵横式交换器中的最佳材料，以 实现在一平方公分的面积内容纳1,000亿个纵横闩(crossbars)的目标。後来我们 发现，最理想的材料就是忆阻器。」Williams表示。 Williams除了是忆阻器以二氧化钛为基础的材料的主要发明人之外，亦是HP成立 了12年的资讯与量子系统实验室(Information and Quantum Systems Lab)的创始 主管；他所率领的研究团队并将该材料的配方最佳化。 Chua则表示，在过去的37年来，忆阻器所遇到的障碍是电子电路学说中一个普遍的 错误想法──即被动电路中，有关电压与电荷之间的基础关系。研究人员认为，电 压与电荷间的基础关系，应是在电压的变化值，或称电通量(flux)，与电荷之间； 而这也是让HP能研发出电阻器的关键原因。 「电子理论学者在这些年来都使用了错误的变量比对──即电压与电荷；事实上， 电子理论所遗漏的一个部份，是有关电通量与电荷之间的变量比对。」Chua表示， 以上的错误观念与亚里斯多德运动定律(Aristotle's Law of Motion)的谬误十分类 似，该定律认为力与速度(velocity velocity)应该是成正比的，但两千年之後牛顿 (Newton)指出其错误，表示亚里斯多德用了不正确的变量，力应该是与加速度 (acceleration)成正比；加速度是速度的变化值。 Chua指出，以上的例子与今日电子电路学中的错误观念如出一辙，但所有的教科书 给的资讯都使用了错误的变量，即电压与电荷；事实上，电压与电荷间的基础关系 ，应该是在电通量与电荷之间才正确。 HP曾在多年前邀请Chua前往发表其学说，不过当时并未透露他们正在积极寻找忆阻器 ；直到最近，Williams才告诉Chua，他已经使用了正确的变量，也就是电通量与电荷 ，发明了世界上第一个可以运作的忆阻器。 忆阻器的运作模式类似一个带着记忆体的非线性电阻(non-linear resistor)，可做为 一种尺寸小巧且高能源效率的记忆元件。不过Chua与Williams表示，忆阻器是一种新 型态的电路元素，可制造出的新元件会是大家无法预料的。 Williams与其研究团队所发明的首个忆阻器，是以两层三明治型态的二氧化钛薄膜为基 础；做为一种记忆元素，其运作方式是透过耦合该种材料中的原子运动与电子运动，来 改变薄膜的原子结构。 HP所使用的底层材料，是由钛原子与氧原子组成的对称晶格(lattice)，可做为良好的绝 缘体；但顶层则掺杂了氧空缺(oxygen vacancies)，使其能成为导体(空缺越多导电性越 好)。HP在二氧化钛中制造这种氧空缺的秘诀，是使用溅镀沉积法(sputter deposition) 产生大量的氧，然後再削减氧气流量产生空缺层。 透过在三明治层的上方与下方放置奈米线纵横闩，电荷就会穿越该材料。Williams指出 ：「我发现忆阻器材料的方法，就是透过研究二氧化钛感测器的运作模式；这让我想到 ，可以透过移动该材料内的氧空缺来制造忆阻器。」 Williams表示，对该元件通电之後，就能推动材料层中的氧空缺到没有氧空缺的地方， 因而改变其电阻系数值达1000以上，将忆阻器「开启」；而若将电流逆转，让氧空缺回 到原地，就可「关闭」忆阻器。 就像Chua所预言的，Williams已经在计划利用HP的纵横闩结构，研发超越一般记忆体的 全新型态元件。「如果我们用快速猛烈的方式来对忆阻器通电，它的运作方式会像是数 位元件；但是如果我们用缓慢温和的方式来对其通电，它就会像是类比元件。」他表示 ，该团队已经利用其纵横闩结构，设计了一种同时具备数位与类比功能区块的新型态电 路。 Williams透露，在类比功能的那部份，他们希望能创造一种以忆阻器为基础的类比计算 元件，其运作方式类似人脑神经元突触，执行功能控制时会以比较对照的方式来进行， 例如判断某样东西的尺寸比另一样东西大或是小。 该研发团队尚未建立一个神经元网路，不过相信在其纵横闩的类比功能部份应用忆阻器 ，将可对神经元网路有很大助益。 HP计画在2008年稍晚公布其忆阻器材料的运作细节，以及该研发团队已经最佳化的、在 不同型态电路中的奈米级纵横式交换器架构。「忆阻器不只可做为现有记忆体元件的替 代品，也可望应用在人们从未想像过的各种新型态元件中。」Williams表示。 (参考原文：'Missing link' memristor created: Rewrite the textbooks?) --

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