作者gwliao (gwliao)
看板NTUGIEE_EDA
标题Re: [研究] VIA vs Metal
时间Thu Dec 1 23:50:38 2005
※ 引述《moonshade (猪脑)》之铭言：
: R72 = 4.678, layer: me1, bounding box: (25.270, -84.090) - (25.590, -63.620)
: 一条这样的metal 是4.678 Ohm
: R2 = 2.5, layer: VI1, bounding box: (-2.669, -64.149) - (-2.350, -63.830)
: 一块这麽大的via，电阻2.5Ohm
: 不过电流方向不一样，两个的单位不太能比，
0.50um的话,
M1的R=0.08 ohm/sq
V1的R=0.36 ohm
0.35um的话,
M1的R=0.06 ohm/sq
V1的R=0.75 ohm
0.25um的话,
M1的R=0.14 ohm/sq
V1的R=1.52 ohm
0.18um的话,
M1的R=0.14 ohm/sq 0.15 0.08
V1的R=0.79 ohm 2.27 2.40
0.13um 的话,
M1的R=0.07 ohm/sq 0.14
V1的R=0.87 ohm 0.82
这些都是某家公司的制程, 不是TSMC/UMC......猜吧 XD
: 但是看起来电阻for metal 1 是0.073 Ohm/squre
: 然後via1 是一个2.5Ohm，
: 这样一个via 可以抵10um左右0.32宽的metal1
: 所以还是很大吧。
: minmal spacing 0.32
: 猜一下是什麽technology吧，我也不知道，
: tf里面没有min diff spacing
: 应该是.25?
: .18应该更惨
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