我同学他门实验室 在新生训练前 还出了个小考试 针对电子所的 虽然我门是光电方面 大家有兴趣可以看看 呵呵 满多基础观念的QQ 答案下次我再把它写出来 (我也没有答案> <) 1. 在DRAM(dynamic random -access memory)中，其中包含一个MOSFET和一个电容， MOSFET就像一个开关可以控制讯号的读写，而电容则可储存电荷，及电容会有一个高电位 与一个低电位，相当於logic0或logic1，即有记忆的功能。在元件需要越做越小，电容值 却需要越大越好，所以 (a) 请分别讨论ε(dielectric constant)与A(area)要越大或越小越好? (b)在电磁学中D=εE , ε=εrε0 可以稍微解释一下ε的意义吗? higk-k,low-k 的材料的研究领域中，所指的k值即为εr。 2. ε：为介电系数 εr：为相对介电系数 ε0：为介电常数 定义介电常数：对任何介电物质，都以真空状态下的介电系数作为比较基础。 在真空中 相对介电系数是1 所以此时是相同的不同的介质 相对介电系 数就不同 所以 介电系数就不同通常这个东西是用来看电磁波在这个介质行进中的情况。 (c)最小的k值为多少?是什麽? (d)trench 式电容为往下挖 除了往下挖 为了改变电容值还有哪一种方法? (hint: 往下挖就像盖地下室) 3. (a) 何谓n-type p-type semiconductor (b) 何谓空乏区? (c) 空乏区里面有电子电洞吗?为什麽? (d) 空乏区造成一电位差 请问他可以当电池使用吗?为什麽? (e) 逆向偏压越大空乏区会越大或越小? 为什麽? 4. 一NMOSFET 试用简单的机制(正电吸电子 ，负电吸电洞,也可说负电排挤电子产生电洞) (a) 讨论Vt(临限电压)会与oxide layer 的厚度的关系是越厚Vt越大还是越厚Vt越小? (Hint: 定义Vt就是要把p-type substrate浓度ex: 1018/cm3 反转成n-type浓度ex: 1018/cm3 ) (b)讨论Vt 与p-type substrate 浓度之间的关系是浓度越浓Vt越大还是越小? --

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