课程名称︰半导体制程概论 课程性质︰选修 课程教师︰吴乃立 开课学院：化工系 开课系所︰化工系、化工所 考试日期（年月日）︰2005/5/9 考试时限（分钟）：120分钟 是否需发放奖励金：yes （如未明确表示，则不予发放） 试题 : (1)画出CMOS之截面图，需标示各区极性(p-type or n-type)(5%) (2)说明什麽是 (1)poly-Si;(2)a:Si;(3)epi-Si 及其用途(10%) (3)定性地绘出一n-Si晶圆中电子密度与温度的关系图并标明室温(25℃)的大约位置(5%) (4)说明在IC制程发展中为提高良率所采取的两大趋势为何？(5%) (5)说明在化学气相沈积制备Si薄膜制程中，若得到的薄膜结晶度不够良好，身为制程工 程师的你列举两种改变制程参数的方法来提高Si薄膜的结晶度(需说明理由)(10%) (6)叙述从Si单晶柱(ingot)制成晶圆(wafer)之间必须经过的步骤？(5%) (7)写出由砂石炼出电子等级Si之相关化学与物理程序(5%) (8)例举除Si以外之三种半导体材料及其用途(10%) (9)说明晶粒封装种类(5%)。 (10)考虑一Si晶圆含NA(B浓度)=5*10^(15) cm^(-3)， (1)电洞与自由电子之密度分别为多少？(5%) (注:在 25 ℃ ，本徵电子浓度 ni=1.4*10^(10) cm^(-3)) (2)若该晶圆表面再均匀掺杂砷 NAs=2.0*10^(17) cm^(-3))，则该表面层为 p 或 n型，电洞与自由电子之密度分别为多少？(5%) (11)解释'一级(class 1)'洁净室的标准及其室内气流之流动形态(5%) (12)绘出pn二极体之能带图并标明Ev、Ec、Ef之相对位置(5%) (13)绘出二极体与MOS电晶体的I-V图 (14)(a)利用热平衡原理演导Czochralski长晶法中的拉晶速度与晶圆半径的关系(10%) (b)身为制程工程师建议一个方法可缩短半径变化区段的长度(5%) --

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