作者ewboy ( )
看板NTU-EM93
标题[转录]Re: [问题] 电容的飘移?
时间Sun Jun 21 19:51:35 2009
※ [本文转录自 Electronics 看板]
作者: jfsu (水精灵) 看板: Electronics
标题: Re: [问题] 电容的飘移?
时间: Fri Jun 19 01:11:51 2009
※ 引述《sux0116 (NCTU EE)》之铭言:
: ※ [本文转录自 comm_and_RF 看板]
: 作者: sux0116 (NCTU EE) 看板: comm_and_RF
: 标题: [问题] 电容的飘移?
: 时间: Thu Jun 18 16:27:58 2009
: 请问各位大哥大姐
: 如果电容两端直流偏压固定
: 随着频率的改变
: 电容是不是也是会跟着频率飘移
: 小弟的做s参数模拟观察
: 容值好像会随着频率增加而增加
: 请问这是正常的吗?
: 这个现象该用甚麽原理解释呢?
: 感谢!
应该要说的是
容抗,
不是电容值。
简而言之,在谐振点之前,电容随频率的增加而减小;
在谐振点之後,电容随频率的增加而增加。
容抗与频率是曲线关系。这个在数学上也很简单,
把电容的容抗等效成:寄生电阻+寄生电感+电容,
Z = ESR+jwL-j/wC。
其中ESR = Equivalent Series Resistance
低频范围内,电容呈现容抗特性;
中频范围内,主要是ESR特性;
高频范围内,以感抗为主。
会有这样的特性,起因於不可避免的寄生电感和寄生电容效应。
由公式得知,随着频率的提高,电容的电抗值将越来越接近0,而寄生电感的电抗值却
逐渐增大,最後超过电容的电抗而使整个器件表现为电感性。
容量越大的电容,其高频电抗值越接近0,就越容易被本身的寄生电感所超越。
同理,电感在高频也可能表现为电容性,而且越大的电感越容易发生这样的事情。
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1F:推 ykjiang:精辟! 06/19 02:06
2F:推 rogerable:签名档异议! 有face打魔兽照样开後宫啦 06/19 02:36
3F:→ beagle:的确看过一个学弟整天魔兽, 不知怎麽搞的突然就有个正妹 06/19 02:50
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※ 编辑: jfsu 来自: 203.66.222.12 (06/19 10:20)
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Maxwell's Electromagnetic Equations
▽‧D=ρ ∮D‧ds=Q
▽×E=-dB/dt ∮E‧dl=-d(∫B‧ds)/dt
▽‧B=0 ∮B‧ds=0
▽×H=J+dD/dt ∮H‧dl=I+d(∫D‧ds)/dt
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