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※ [本文转录自 Stock 看板] 作者: montrachet (屁毛) 看板: Stock 标题: [其他] 太阳能产业简述 (2/3) 时间: Fri Jan 22 23:51:29 2010 上游-矽材纯化 进入障碍:高,其技术门槛高、资本投入大,建厂时间需2至4年,未来回收充满不确定性 前景: 寡占市场慢慢消失,主因新提炼法不断开出,来自中韩的new entrants将成为 未来矽价的另一破坏者。 台湾: 极度缺乏发展,但已有许多厂商着手研发,成果未知;目前瑞晶已有小量产出, 後续密切观察。 主流之矽原料纯化方式比较: 1. 西门子法:原理为三氯矽烷裂解+钟型氢气反应炉,冶金级矽(99%)转换成三氯矽甲烷/ 矽烷,经过气化,气体於1150度(摄氏)高温吹入高纯度多晶矽棒,气体分 解後将纯多晶矽沈积在金属棒上。 技术成熟且纯度高(9N以上),但高温高压危险,且耗电量很大,成本也较 高(45-60USD/KG)。 代表厂商: Hemlock、Wacker、REC、Tokuyama 2. 流体床反应炉法(FBR): 治金级矽制成的气态矽烷/三氯矽甲烷在高速下通过含多晶矽 粒的反应炉内,气体便分解为矽与氢,再沈积於矽粒上。 其耗电量较低、沈积率较高且制程效率较佳,最重要的是成本 约25~30USD/KG;然目前的矽纯度尚不理想,约在7N左右,加 上复杂的制程,投入厂商并不多 代表厂商: MEMC、REC、AE Poly、(Wacker) 3. 冶金法(UMG): 又称物理法,冶金级矽定向凝固後浓缩,分离熔解部份杂质後再截断。 优点在於成本低(10~20KG)、建厂前置时间较短;但产品纯度较低,仅 有5N,通常要与较高纯度之多晶矽混合才能使用,且目前技术未成熟, 微量杂质去除难度相当高。 代表厂商: 日本川崎制铁已量产(供货给Sharp),中美俄等科学研究室 亦在努力研发中。 上游-矽晶圆 进入障碍: 中,技术成熟度与客户群关系仍为新进厂商的重要指南 前景: 受到矽价的直接影响较大,且由於未来矽价不再有高价情况出现,因此晶圆ASP与 毛利也仅能维持住,而不会有爆发性成长。 台湾: 优势厂商仍不多,中美晶、合晶与绿能将暂居产业的领先位置。 制程: 单晶矽-> 利用"柴式长晶法"直拉晶体,过程缓慢而稳定,矽晶成规则排列。 多晶矽-> 利用"直接熔融定向凝固法"直接将多晶矽融化。 完成後的晶棒/块再进行加工,包括切断头尾无用的部分、滚圆使表面平滑、切片 以及化学蚀刻(以避免金属离子等杂质污染矽片表面)。 中游-电池 进入障碍: 低,竞争非常激烈,新加入者可透过turnkey迅速崛起,产品同质性小。 前景: 较上游悲观,技术发展达一瓶颈,金融海啸以来margin下降得非常快。 台湾: 台湾是全球太阳能产业链中游的佼佼者,茂迪、益通与昱晶是最受瞩目的专业电 池厂,但同上所述,未来的成长性很有限,要稳住地位极不易。 制程: p型矽片上透过扩散形成n型半导体层,其余制程包括绒面制程、接面制程、铝背面 制作、正背面金属接触与减反射层沉积;其内容碍於专业之物化知识,不再详述。 结晶矽电池与薄膜的简易比较: 制程 设备 外观 技术 发电情况 结晶矽 详细分工 成本较低 厚、重 较成熟、 --- (成本不易下降) 转换效率较高 薄膜 一体成型 昂贵* 轻薄#、多彩 尚未成熟 总发电量较大、 (成本较低)& 可挠 效率偏低 低照度发电佳@、 无内部电路短路 问题。 &每提高1%的转换效率,可降低14%的成本;结晶矽电池则是5~7%。 *国内业者购置美国一条产能20MW的生产线,价格至少约新台币18亿元;购置日本25MW产 能规模约需新台币15亿元,加上厂房建筑等,业者投资金额约需达20亿元。而国际设备 大厂如Applied Material、ULVAC、Oerlikon等,整线设备价格约在新台币25亿~30亿元 间,虽然价格较高,但是国际大厂的设备有转换效率约在8~10%的保证,加上完善的售後 服务,目前还是比较受到台场的青睐。 然除了设备以外,包括背板等主要材料,台湾亦需进口。 #薄膜在BIPV的发展空间较大,轻薄的特性也比较容易做成大面积的光电系统。 @较低的功率温度系数、较大范围的光谱吸收使得薄膜在北欧等弱光地区有较佳的发展性 。 中游-模组 进入障碍: 低,竞争亦激烈,但地域性强烈 前景: 模组厂多以寻求合作夥伴为主,是策略联盟里重要的一环。 (电池制成模组後转换效率会有若干丧失,因此模组厂技术的优劣相当重要) 然此位置面临整个产业链最大的成本压力,因此普遍毛利率也是最低。 台湾: 缺乏内需市场,使得国内的模组厂普遍规模很小,外销订单不易,除品牌、品质问 题外,部分地区如外销欧洲的订单需要通过德国莱茵实验室的认证,其耗时长达一 年左右,更换材料亦须再度认证,相对晶圆厂以及电池厂,模组的发展舞台很小。 制程: 透过串联或并联制成模组,步骤包括雷射切片、焊接、排列定位、层压、固化与配 被外接电路;其内容碍於专业之物化知识,不再详述。 -- 累了...先去困orz,有误请指正。 --



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1F:推 Waaaade:这一定要推的~ 01/22 23:54
2F:推 egghan:国内不是建立实验室了吗? 01/22 23:55
3F:推 minij:这真的是要推!! 01/22 23:57
4F:推 tonyd:推!超专业! 01/23 00:10
5F:→ cupidboy:推~~可以加入35族去比较吗 01/23 00:12
6F:推 newgunden:也只有德国莱茵阿,就是从一年变成半年这样 01/23 00:14
7F:→ newgunden:而且日本有日本认证 美国有美国认证 XD 01/23 00:15
8F:推 KirbyEvans:茂迪转投资的多晶矽厂好像是流体床法 01/23 00:17
9F:推 Buffetist:产业研究可以矣! 01/23 00:47
10F:推 newgunden:GE的模组厂应该有认证过了吧~? 01/23 00:59
11F:推 cout:推.. 01/23 07:28
12F:推 a1314520: 我想知道 CIGS 01/23 09:38
13F:推 OR: 感谢您的整理与分享 01/23 09:51
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15F:推 IanLi:推整理 不过我之前就都知道 只是没心整理 XD 01/23 15:12
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