各位板友大家好 小弟的制程有一道是TSV(through silicon via) 简言之就是将silicon挖穿一个洞 孔洞大小约为5-10um, 深1-200um 孔洞需要金属填满 目前的想法是电镀铜进去 电镀前会先蒸镀铜的seedlayer 但不确定侧壁是否能让铜附着且孔洞不知道有没有办法使用电镀的方式填满 因为是做电极用因此还需要做waferbonding 构想是填入铜膏同时达到contact且有黏着的功用 同样的问题是铜膏是否能完全填满孔洞 关於电镀的方式是根据此篇论文 DOI: 10.1038/srep46639 电镀溶液中还加了suppressor, accelerator, levelling agent 是否在溶液中加入这些添加剂可使得孔洞填得更好呢 那这些添加剂应该怎麽选择 谢谢！ ----- Sent from JPTT on my iPhone --

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