作者qqalex (大白)
看板NEMS
标题[问题] wafer ebr 洗完後毛边
时间Tue Sep 26 15:18:54 2017
不好意思，请教各位
小弟正在进行光阻涂布fine tune实验
已知目前洗边（40s)光阻还太湿,最後一步旋乾光阻还会溢出来,产生毛边
已有一解法增加洗边时间到100s可解决，但时间太久了，throughput减少
除此了这个方法
在参数设定上还有什麽调整方向呢？
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1F：推 yuchungyi: 转速 加速度 撒些DOE看一下 快慢快之类的 09/27 23:32
2F：推 denniswave: 换个 CP 比较高的？然後主转速拉高看看 09/28 22:24