http://photoresist.com/wp-content/uploads/2010/11/az_p4620_photoresist.pdf 最後一页是转速厚度对照表。 AZP4620厚度要2x以上转两层才叫帅 15um以下转两层是自找麻烦 另外spin duration不需要到60秒。30秒就够了。不然厚度会太薄 依照这个datasheet, 只用hotplate是足够的。但是要注意有些是建议full contact 等级高的hotplate在加热盘下方有加装真空吸附装置，可以在加热同时牢牢吸住wafer 相较於许多实验室的hotplate加热盘上一堆烧焦没清乾净的残留光阻 wafer放在上面其实根本就悬空的，wafer根本就没有full contact 加热板表面与wafer 中间隔的空隙其实少少数micron就会对表面加热产生巨大的影响 另外最重要的是你曝光机的intensity不是看灯泡几瓦来决定的。 你要有个可以侦测425/365波长的light meter放在摆wafer的地方。测得真正的 mJ/s.cm^2，这个数字来决定之後的曝光时间。乘以秒数才会是真正datassheet上的数字 ※ 引述《jaychou515 (Hoshiya)》之铭言： : 现在正尝试用两层AZ4620 共15um膜厚制作8um线宽。 : 第一层 : 2000转 / 60秒 : 软烤110度/ 120秒 : 第二层 : 900转 / 60秒 : 软烤110度 / 480秒 : 以350w汞灯曝光20秒 => 过曝，但8um线宽也差不多8um : 改曝15秒後 => 曝光量不足 : 请问这样是否是第二层光阻未烤乾? : P.S. 目前黄光只有hotplate : 另外想请问4620用曝後烤，会不会有助於光阻的垂直度? --

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