作者zenk9980 (包子)
看板NEMS
标题[问题] 关於矽晶圆等级和氧化层厚度问题
时间Fri Apr 25 13:03:57 2014
各位先进们好
小弟想请教一下4寸矽晶圆在购买时业务说有分等级
最高是prime ,最阳春的是test
想请问一下这两种矽晶圆的差别?因为价差一倍
业务也不知道明确的差在哪里
另外因为小弟买这Wafer是要做FET元件使用
应该是用prime比较好还是test?
FET的氧化层厚度一般来说镀多少奈米会比较好呢
(之前的学长是用270nm 的SiO2)?
查了一些文献也都大概在 300 nm
不过因为没有做过所以上来请教
不好意思麻烦大家了.谢谢
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1F：推 jeffdon2:test等级的比较常发现单片厚度不均匀以及容易碎裂 04/25 18:45
2F：→ jeffdon2:这2个问题 04/25 18:46
3F：→ jeffdon2:如果可以的话先跟厂商买个5片测试一下，如果test等级 04/25 18:48
4F：→ jeffdon2:可以接受的话再考虑其他如是否p type或n type dopen 04/25 18:49
5F：→ zenk9980:原来如此.感谢J大的回覆.我了解了.非常感谢 04/28 22:51
6F：→ oneonephy:以价格来说prime 和test差异不大，做FET不要冒险还是 04/30 09:14
7F：→ oneonephy:还是用prime比较好。如果单纯拿wafer当载板，test就行了 04/30 09:16