※ 引述《uehara19k ()》之铭言： : 各位大大好 : 我的材料是四族 : 深宽比约0.1 : 使用的光阻是AZ5214(2000rpm) : post bake 150度10min(hot plate) : RIE用的气体是CF4(80%) O2(10%) Ar(10%) : RF power 30w : 目前吃出来的图形总是会呈现梯形___◢████████◣___ : 离老师要求的垂直侧壁 ___██████████___ : 还差很远Orz : 请问我该如何改进才能达到我的要求呢?? : 抱歉这问题可能有点浅，但我念机械出身半导体制程实在很苦手... : 麻烦各位解答了 原po你好，我硕士班也有花了数个月测试RIE蚀刻的侧壁笔直性 不过我的深宽比是1.67，深度约250 nm，宽度约 150 nm，而且我蚀刻的是介电质材料 希望一些经验可以帮到你 那时候的学长是说化学蚀刻气体"比例"千万不能动，化学气体比例是影响最剧烈的 在这里指的就是CF4和O2两个气体的比例千万不要动 再来是制程真空度，一般来说，如果侧壁要越笔直，则真空度就要越低 所以我当初是设定RIE机台的最低真空度: 20 mTorr 不过真空度会容易造成光阻被轰击的更剧烈，所以要特别考虑选择比和光阻去除的问题 如果调低真空度测试过还是不行的话，再去调动Ar和RF Power 调动Ar可以增加化学性蚀刻，但是光阻也更容易被轰击 而调动RF Power是控制气体的解离量 如果我是你，我会先以原有的参数并调低制程真空度到机台最低范围 如果不行再微调气体流量 作个Ar 15%和RF Power 25W、40W 这样交叉组合大概会作3个测试实验 从中取侧壁角度最大的参数再继续往那方向作修改 希望可以帮助到你，祝你早日实验成功~ --

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