你叙述我比较看不明白所以现在大概就是猜测 你用BOE 蚀刻SiO2 三分钟後深度是0.3 microns但却有近10 microns的侧向蚀刻 原本认为是蚀刻时间太久，但现在经过实验验证3 min开始才确定可以蚀刻出 0.3microns 的深度，所以基本上不是因为湿蚀刻时间过久。 以让若我解读正确，那接下来是做功课时间 第一就是BOE是 buffered oxide etch的缩写，换句话说不同厂商的BOE，成分是不同的。 市面上常常误用造成混淆，所以boe有可能是指 diluted HF (HF跟water) 也有可能是Buffered HF (HF 跟 NH4F)，也有可能是三者都有 (HF, H2O, NH4F) 比例更是琳琅满目，导致蚀刻速率皆不相同。最简单的办法是看你用的BOE瓶子上 的蚀刻速率的标示。通常会给你一个值做参考。 第二就是前面版友推文所说，同样是SiO2, 长成方式不同(比方说比较常见的dry/wet thermal以及PECVD)，被蚀刻速率也不同。 接下来就是开始google一些关键字，比方说PECVD silicon dioxdie boe etch rate 会找到一些不同数字，接下来拿这些数字来验证你的厚度跟时间 我发觉0.3 microns的厚度用BOE蚀刻三分钟算是合理数字。 所以接下来要开始思考为什麽会造成10 microns的over etch 功课就做到这边了，我因为这辈子没做过SiO2的湿蚀刻，所以不知道侧向蚀刻如此 是否合理，所以就不再献丑了 我只能提供我的意见，看您的叙述，是在做电子元件。 半导体厂根据湿蚀刻跟乾蚀刻特性的不同，比较优劣之後一直是在使用乾蚀刻的方式 来做此一步骤(蚀刻oxide间的金属导线)的。若贵单位或贵校的RIE坏了，其实台湾学界的 RIE 还算普遍。 给您参考一下 ※ 引述《andylove0612 (汉仔)》之铭言： : 大家好 SIO2在Pt之上，SiO2是以PECVD成长300nm，蚀刻时间太短无法蚀刻到Pt层，乾蚀刻机台有问题，所以改用湿蚀刻，谢谢各位回答@@，真想不出是什麽原因~~ -- 本球队一切依法行政，谢谢指教。 --

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