作者alfudimas (开始拼毕业!!)
看板NEMS
标题[问题] SOI晶片中间的二氧化层种类??
时间Wed Oct 3 16:18:51 2012
请问SOI晶片中间的oxide层
是属於哪一种沉积制作而成的??
因为我要用BOE蚀刻中间的oxide层
达到微机电结构的悬浮(release)
要计算蚀刻速率
我是参考这篇2003年 paper (作者: Williams, K.R.)
Etch rates for micromachining processing-Part II
http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=1257354&tag=1
里面的一张蚀刻速率表
http://www.flickr.com/photos/87994757@N04/8049972359/in/photostream
里面有列出不同oxide层种类的蚀刻速率
而我在US 专利中看到一篇SOI晶片的制作专利
原网址
http://www.google.com/patents/US7985660?printsec=abstract&hl=zh-TW
#v=onepage&q=thermal%20oxi&f=false
缩网址:
http://tinyurl.com/8mcygxa
里面是说用thermal oxidation沉积而成
所以我该参考PAPER的蚀刻速率表里
Thermal Oxide Wet-Gm的速率吗 ?
想请教大家一下~~
感谢
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