作者voices (总是昏睡中~)
看板NEMS
标题Re: [问题] Photoresist as dielectric
时间Sat May 26 23:06:42 2012
我是用SU-8
但我是做最简单的那种 就是很简单的一片膜 没有pattern
所以自然就不用显影了
我猜你看到说要显影的 应该是有要用特定pattern的吧
我不知道曝光後会不会增加hydrophobic layer的adhesion
就SU-8 + CYTOP的系统
我看paper 有的是曝光完 烤一烤後 会拿SU-8去照一下O2 plasma
paper上面解释是说是为了增加CYTOP的adhesion
不过也有很多人的paper没有写这个步骤 不知道是没有用还是就懒的写了
我自己是没有试过就是了
看书的话 是说照UV/ozone或plasma的确会增加CYTOP对於基材的adhesion
主要是跟一些化学结构有关
但要注意用plasma的话 表面粗超度会增加 这样会影响EWOD的"dynamics" (想不到其他词)
我看的paper他们用的时间都只有短短几秒 功率也要考虑
Teflon系统的 不清楚
但是看过直接上电极的 会在电极上面做额外处理
上面讲的 你有兴趣的话 我在e-mail paper给你吧
另外就是可以看"Morden Fluoropolymers" edited by John Scheirs这本书
他有介绍很多
电解的话
是一开始加电压就电解 还是一阵子之後?
可能就是膜没有弄好吧
UV照太强之类的
不然就是电极没弄好 短路了 可是不清楚你是不是做那种针插液珠的那种
膜用太多次也会
不然就是电压的问题
电压可以先算一下
就是去算surface tension可以被降到零的那个电压
那个电压多半就是contact anlge开始停止增加的时候
但不一定是那个值 就差不多就是在那个值付近
你要看Paper的话 我在e-mail给你
不过不是很多学者可以接受这个理论 但是算出来就都跟实验值很合 所以就...
印象中好像用液态介质的话 误差会比较大一点
另外就是看你是用DC field还是AC field
AC我不清楚 没有用过
DC的话 你在改变电压的时候的increment会影响contact anlge出来的趋势
contact angle saturation的部分也会改变
我不知道为啥会这样
但是我看两篇paper + 我自己的实验结果的确是会影响的
paper好像也有试AC的 可是我忘了他们结果是怎样 两篇paper是不同group 不同材料
剩下请其他版大补充~
※ 引述《ccczxzx (Pen)》之铭言:
: 各位板大大家好
: 小弟是第一次在这个板上发文 @@
: 废话不多说
: 小弟最近在做 EWOD 相关实验
: 发现有些人会使用 SU-8 当作 dielectric layer 使用
: 但文献的 protocol 并未描述得很清楚
: 有的直接 spin coating 及 bake 後就涂上 hydrophobic layer
: 但有的说要曝光 显影後 (显影太久不就吃掉了?) 再涂 hydrophobic layer
: 我不知道哪个是正确的
: 不知道板上大大有哪位知道答案呢?
: 是因为曝光後可以增加 hydrophobic layer 与 photoreisit 的附着吗??
: 另外有个小问题想顺便问问
: 我现在再用另外一款的 photoreisit 在做 dielectric
: 可是都会出现电解的状况.... 不知道是什麽原因
: 再麻烦各位大大帮助罗
: 感激不尽
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 71.254.65.109
※ 编辑: voices 来自: 71.254.65.109 (05/26 23:38)
1F:推 blueseas:想请问CYTOP在台湾买的到?日本不是不卖台湾吗? 05/27 18:11
2F:→ ccczxzx:Cytop 台湾买的到 不过要找子公司 05/28 11:42
3F:推 blueseas:请问楼上子公司是??? 05/29 21:57
4F:→ ccczxzx:版上板文您就会找到罗 05/30 00:06