作者SkyLark2001 ( )
看板NEMS
标题Re: [问题] S1813 小线宽的lift off
时间Tue Feb 28 10:47:10 2012
※ 引述《capsss ()》之铭言：
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.112.218.154
1F：→ jamesII:烤太久乾掉? GOOGLE是115C 60S try 105C 120s for liftoff 02/27 18:29
2F：推 SkyLark2001:可放进硫酸加双氧水中，短时间(数分钟)内不会对你的金 02/27 20:39
3F：→ SkyLark2001:有显着影响。或是使用专门溶正光阻的熔剂比方EKC830 02/27 20:40
4F：→ SkyLark2001:加热使用效果极佳 02/27 20:41
5F：→ capsss:谢谢楼上二位 但是因为我的结构中有SiO2 不大适合放硫酸加 02/27 22:31
6F：→ capsss:双氧水 另外如果不烤这麽乾我好像曝光的时後 光罩一压上去 02/27 22:31
7F：→ capsss:绕射条纹就变很多 因位我还要第二道同样图形对准 02/27 22:32
8F：→ capsss:我怕在Wafer下面垫上滤纸会使得对准不准 02/27 22:33
我比较看不懂推文是什麽意思
不过在不改变黄光参数的前提下，扣掉Acetone，清除光阻的方法有以下几种
乾式:
1. RIE O2 plasma clean
2. Barrel Asher, 也是属於以电浆方式烧掉光阻的乾蚀刻
湿式
3. 市售正光阻清除溶剂，如 EKC830以及AZ 300T，加热使用，效果比丙酮加
4. Piranha (硫酸加双氧水)，会在表面产生薄氧化层，稍微在HF中dip一下即可去除
5. 第五种是来乱的，因为我只有听说但半信半疑，那就是放进高温炉中，一样可以
把光阻烧成灰。
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本球队一切依法行政，谢谢指教。
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◆ From: 128.95.165.23
※ 编辑: SkyLark2001 来自: 128.95.165.23 (02/28 16:10)
9F：推 endlessbbs:第五点感觉会炭化更难去除XD 02/28 18:24
10F：推 pttresident:第5点 XDDD 02/29 12:06