作者melvyn (Aeneas)
看板NEMS
标题Re: [问题] 光阻去不完全
时间Fri May 6 16:09:22 2011
※ 引述《SkyLark2001 ( )》之铭言:
: 我没用过你的光阻,也没镀过100A那麽薄的 金
: 你的substrate是什麽?
SS和silicon oxide
: 你的feature size多小?
直径5μm的圆孔阵列
: 你的bake是用hotplate还是oven?
使用烤箱烘烤
: 你用hotplate的话上面有没有铺铝箔?
: 你hard bake若是用oven的话烤完後有没有 O2 plasma RIE descum一下?
这我没做,因为我是仿照学长传下来的流程
: 这些都会影响黄光结果
: 基本上过期两年就我经验而言...无关痛痒
恩恩,谢谢,我知道了
: 黄光完之後有用高倍显微镜确定显影结果是否完美吗?
是的,有用高倍显微镜check过,显影结果跟预期一样
: 只是要dehydration的话,45分钟太久了
: : 软烤90度 30min
: : 硬烤120度 30min
: : 接触式曝光机 70v 300w
: : uv照射时间4.8s
: 就曝光而言 你给这样的数字是没意义的,要给该机器的UV在某固定波长(如365nm)
: 下的intensity
: : 显影时间 25s
: : 镀上10nm的金
: 令我最讶异的是你的金下面没有一层Cr...
这我真的不懂为什的还要镀层铬??
我镀金是为了要当成长矽奈米线的触媒
: 你镀完100A的金之後可以肉眼分辨金的颜色有跟光阻的颜色不同吗?
是的,可以分辨
: 放进Acetone之後震个一阵子gold layer还能survive吗?
之前实验室利用sputter镀金时,发现到有金残留的问题
改用e-beam镀金後就没问题了
: 讲了一堆杂七杂八,基本上你可以去google
: 我google到一个南台论文也用EPG512做liftoff的
恩,这篇我也有搜寻到,所以後来有再进去黄光做了调整
: 硬烤时间只有 100C 2min.
: 我想这就是差别
谢谢大大帮忙
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