作者SkyLark2001 ( )
看板NEMS
标题Re: [问题] RIE 蚀刻
时间Wed Dec 1 07:15:43 2010
※ 引述《SkyLark2001 ( )》之铭言：
: 标题: Re: [问题] RIE 蚀刻
: 时间: Mon Nov 29 20:52:35 2010
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: ◆ From: 69.91.137.170
: 推 lockq:我同意本篇原PO的看法! 11/30 07:39
: 推 knoben:不知道一般都是怎麽dehydration? 把wafer拿到hotplate上烤 12/01 05:37
: → knoben:吗? 还是有别的办法呢? 谢谢 12/01 05:38
基本上放到hotplate上面烤
时间温度因人而异 但最低不要低於一百一十度
若是hotplate上面有铺铝箔的话，一般说法是表面温度会低於设定温度十度C左右
若没铺铝箔而且是接触式(底下会吸真空让substrate紧贴plate表面)的，
温度会比较接近hotplate的设定温度
有些人要放到两百度C烤五分钟 这是旧型SU8的recipe上推荐的
若是洗过的wafer用spin rinse drier转乾的话 基本上我就一百一烤个三到五分钟交差
若只是用氮气枪吹乾的，难免会有水气残留，烤久一点会比较稳
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◆ From: 174.61.150.254
※ 编辑: SkyLark2001 来自: 69.91.137.227 (12/01 11:16)
1F：推 knoben:谢谢您的建议 金保护我试过了 没问题 之後就是试除水 12/04 03:06