我再看了一次原PO的文章 其实我看不是很明白原PO的制程步骤 不过既然RIE只有开O2 plasma, 所以不会对Silicon表面有影响 所以我上一篇文章看看就好。跟蚀刻後的表面粗糙度无关 而是原PO第二次镀Cr时substrate表面太脏导致附着力不佳。 改善方法? 第一还是先镀一层Au 确定不是因为KOH吃Cr 若这一点排除，还是不行，那可能无解。因为我想你表面的"小球"应该无法承受 任何Solvent或是Piranha的清洗 我很好奇你第二次镀Cr的时候你第一层的Cr 在哪里? 你若是没办法在第二次镀Cr之前让你substrate够乾净，基本上应该无解。 RIE 的O2 plasma专门烧有机的，会让substrate表面更乾净，不会因此让si跟Cr黏着 性变差。除非你表面的有机没有烧乾净。SiO2或是SiNx跟Cr的黏着性都不错。 ※ 引述《SkyLark2001 ( )》之铭言： : ※ 引述《knoben (pop)》之铭言： : : 恩再次谢谢 Jeff兄的回答 我一开始希望能够从6micron吃到3micron 高度我是没测 : : 以我的条件大约要吃20分左右 然後度Cr以後发现 度了Cr的矽还是都会跟KOH作用 : : 搞了半天 试了一些条件 弄不出来才上来请教的 : 我浏览一下Cr的湿蚀刻并没看到KOH : http://www.sut.ac.th/engineering/electrical/mems/wet_etchants1.pdf : 但表中确实有些含OH-的溶液，所以KOH到底会不会吃Cr不确定 : 不过，你用过RIE蚀刻过的Silicon 表面太粗糙，粗糙度大於Cr的厚度，Cr当然没办法 : 顺利完整覆盖保护底下的Silicon，所以KOH渗进去蚀刻Silicon，造成你整个表面的崩溃 : 我建议第一你把金属镀厚一点，然後Cr拿来当黏着层就好，再度一层金 : : 今天做了以後发现到如果处理过玻璃表面(piranha+NH4OH/H2O2/H2O)再去度Cr : : 其实Cr黏的OK 也不会跟KOH作用剥落 不过如果只有用有机溶剂洗洗玻璃表面 : : Cr就黏的不好 不过样本数少 还是要再试试 : 应该是你的Acetong或是这一类的solvent没有洗乾净，或是镀金属前没彻底dehydration : "只要substrate表面乾净，Cr跟Ti是两种最普遍用来当黏着层的金属"。 : 若Cr没有用，基本上也不用试其他金属了 : : 试到现在的结果 如果RIE越久 Cr就越容易作用 看起来20分钟是不可能 : : 只希望短时间RIE以後 polystyrene小球跟刻的洞不会黏在一起就好了 : : 我问过金etchant 制造商说要开证明才能买 有点小麻烦 Jeff兄你们也得开证明 : 我前面推文有说，用王水就可以了，没有很困难，不过请在抽风柜里做，避免吸入蒸气 : : 才能买这玩意吗?不过如果试了以後 Cr/Au可以弄成我希望的结果 那也只能买了 : : 我google了一下DRIE 好像都是刻成像沟槽的形状 不过我希望是刻成像凹进去的金字塔 : : DRIE可以刻成像这样的形状吗?? : DRIE是非等向性蚀刻，你要做成到金字塔形状，有可能。Passivation大於etch就可达到 : 但你若不是玩DRIE的老手，或是详知运作原理的话，试参数有难度。 : 而且试出来的倒三角形深宽比会颇大。 : : 不好意思 我是这方面的新手然後又多问了一些问题 希望不会太占据版面 : : 如果版主觉得不妥请告诉我 谢谢 : : PS 似乎Jeff兄也在米国 就祝您感恩节愉快:) 谢谢 : 你一开始文章有说Cr原先在KOH里面OK，所以基本上可假设KOH不吃Cr(短时间), : 所以假设是表面粗糙度的问题，或是假设你表面RIE之後不够乾净。 : 所以我的建议是第一加厚Cr, 或是多加Au : 第二是RIE之後把你的subsrate再去用Piranha然後BHF(或称 BOE)清洗。 : 洗完记得Dehydration彻底一点 --

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