※ 引述《knoben (pop)》之铭言： : 恩再次谢谢 Jeff兄的回答 我一开始希望能够从6micron吃到3micron 高度我是没测 : 以我的条件大约要吃20分左右 然後度Cr以後发现 度了Cr的矽还是都会跟KOH作用 : 搞了半天 试了一些条件 弄不出来才上来请教的 我浏览一下Cr的湿蚀刻并没看到KOH http://www.sut.ac.th/engineering/electrical/mems/wet_etchants1.pdf 但表中确实有些含OH-的溶液，所以KOH到底会不会吃Cr不确定 不过，你用过RIE蚀刻过的Silicon 表面太粗糙，粗糙度大於Cr的厚度，Cr当然没办法 顺利完整覆盖保护底下的Silicon，所以KOH渗进去蚀刻Silicon，造成你整个表面的崩溃 我建议第一你把金属镀厚一点，然後Cr拿来当黏着层就好，再度一层金 : 今天做了以後发现到如果处理过玻璃表面(piranha+NH4OH/H2O2/H2O)再去度Cr : 其实Cr黏的OK 也不会跟KOH作用剥落 不过如果只有用有机溶剂洗洗玻璃表面 : Cr就黏的不好 不过样本数少 还是要再试试 应该是你的Acetong或是这一类的solvent没有洗乾净，或是镀金属前没彻底dehydration "只要substrate表面乾净，Cr跟Ti是两种最普遍用来当黏着层的金属"。 若Cr没有用，基本上也不用试其他金属了 : 试到现在的结果 如果RIE越久 Cr就越容易作用 看起来20分钟是不可能 : 只希望短时间RIE以後 polystyrene小球跟刻的洞不会黏在一起就好了 : 我问过金etchant 制造商说要开证明才能买 有点小麻烦 Jeff兄你们也得开证明 我前面推文有说，用王水就可以了，没有很困难，不过请在抽风柜里做，避免吸入蒸气 : 才能买这玩意吗?不过如果试了以後 Cr/Au可以弄成我希望的结果 那也只能买了 : 我google了一下DRIE 好像都是刻成像沟槽的形状 不过我希望是刻成像凹进去的金字塔 : DRIE可以刻成像这样的形状吗?? DRIE是非等向性蚀刻，你要做成到金字塔形状，有可能。Passivation大於etch就可达到 但你若不是玩DRIE的老手，或是详知运作原理的话，试参数有难度。 而且试出来的倒三角形深宽比会颇大。 : 不好意思 我是这方面的新手然後又多问了一些问题 希望不会太占据版面 : 如果版主觉得不妥请告诉我 谢谢 : PS 似乎Jeff兄也在米国 就祝您感恩节愉快:) 谢谢 你一开始文章有说Cr原先在KOH里面OK，所以基本上可假设KOH不吃Cr(短时间), 所以假设是表面粗糙度的问题，或是假设你表面RIE之後不够乾净。 所以我的建议是第一加厚Cr, 或是多加Au 第二是RIE之後把你的subsrate再去用Piranha然後BHF(或称 BOE)清洗。 洗完记得Dehydration彻底一点 : ※ 引述《Jeffch (Jeff)》之铭言： : : 那RIE後diameter剩多少呢?如果是6 micron吃到剩3 micon那etching时间还蛮久的说。 : : 另快吃掉以後Bead的高度剩多少呢? : : 你是说原本该是被Cr覆盖的地方也开始反应吗? : : oxide对金属都是比较差的，不过Cr应该还不错 : : 如果先把native oxide吃掉会黏得好一点 : : Cr/Au是指下面一层Cr当Adhesive Layer上面一层Au是主要的MASK，所以可以先用 : : Gold Etchant (TFA,...)把Au先吃掉再用Cr Etchant (Cr-7,...)吃Cr。 : : DRIE是Deep-RIE，可较一般RIE拥有更高的Aspect Ratio和更好的Selectivity。只要10um : : 的光阻就足以吃穿整片wafer。 --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc) ◆ From: 174.61.150.254 ※ 编辑: SkyLark2001 来自: 174.61.150.254 (11/27 19:30)