作者johsieh (ii)
看板NEMS
标题[问题] Si/SiGe HBT InP based InGaAs/InAlAs HEMT
时间Sun May 9 22:16:05 2010
如题 想要请问一下 当看到有这样子写的时候
Si/SiGe HBT意思是 谁当base collector或是emitter呢?
如果是InP-based InGaAs/InAlAs HEMTs 又是什麽样子的情况呢
实在看不懂这样的简写耶 可以请知道的人回一下嘛
谢谢
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 128.227.13.88
1F：→ googlelife:HBT: Si-Emitter, SiGe-Base ; InGaAs-Channel 05/12 09:00
2F：→ googlelife:InAlAs - barrier 05/12 09:00
3F：→ johsieh:thx 05/13 05:26