作者wwwok (勇敢的坚持下去)
看板NEMS
标题[问题] 关於MEMS结构上产生的杂讯
时间Sun Nov 22 03:37:39 2009
小弟本身是EE背景的
主要研究的方向是CMOS MEMS的整合
实际上是负责CMOS电路设计这一块啦
不过电路设计主要是依照MEMS的结购和功用而定
例如像是GAS SENSOR之类的东西
不过最近再设计电路时常常与我的指导教授讨论到一个问题
就是MEMS本身所产生NOISE相关的模拟与解决的办法
因为我所设计的电路 往往都是在感测MEMS结构上的讯号
所以对於MEMS结构本身所产生的讯号与杂讯
势必得做个分析与了解
问题就在这里 对於电路本身的NOISE有软体可以帮忙模拟分析
但是MEMS上的NOISE有特定的软体分析吗？
最好是可以能够模拟出讯杂比(SNR)的部份
烦请版上各位大大给小弟一点意见与指教了
另外想请问一下 有在做CMOS MEMS CHIP的大大
在MEMS与电路间 有需要做一些特别的LAYOUT吗
我个人是会用PTGR和NTGR做阻隔(好像是叫做GARDING吗 有点忘记了)
除了这个以外 还有什麽需要特别注意的吗
谢谢各位了
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◆ From: 58.114.195.146
※ 编辑: wwwok 来自: 58.114.195.146 (11/22 03:38)
1F：→ asdwqq:可以使用coventor里面的模组将MEMS做为等效电路模型，然後 11/22 13:03
2F：→ asdwqq:再做分析，或试着将你的sensor等效成电路，再使用hspice 11/22 13:05