事情是这样的 本来考虑到 ITO wet etch很难控制 而且我的pattern很容易被吃掉 所以改用 dry etch 但是由於在dry etch (Cl2+HBr)时候 pohotoresist 被吃的速度也很快 所以踹参数时候都是吃个几十秒拿出来量ITO 最後觉得etching 够了就收工 事後把PR洗掉後发现 电极仍然倒通 原因是有pattern的部分没有蚀刻乾净 当初在踹 ITO dry etch时候是量没有pttern的部分 (这是疏忽的地方) 现在想要补救一下这一批 所以想改用 wet etch再吃一下 因为没有PR在表面 (我的表面只剩下 非晶矽档在ITO上面) 所以 我想不适合用 HCl+HNO3的配方 我想改用草酸 草酸会和 Si反应嘛 这就是我现在的问题 google中没有人特别提到这点@_@a -- 。 ═╗╔╗╔╮ ˙ 。 ╠═╯Ｓ７５２８７ ╔╗ 。。 。 。 。╔╯╔╦═╗ ╦ ╠╬╯ ═ ═╯˙ ║ ╭╯╰╮ ●┐ 。 ╚╗╠╬═╣ ╬ ═╬╯ ═ ═╗ ╗╠═ ║ ▌║ =▉ 。 。 ║╚╬═╯ ╩ ↙║↘ ↙ ║ ╯║↘ ║ ˙║ 　 ) \\● 。 ╰╯╰╬═╝ ╰╯ 。 ╰╯ ╰╯ ╚══╝ 。 ╯ ●)))﹏﹏﹏﹏ ∮momo1025 & dais /\ --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc) ◆ From: 128.97.11.107