作者koutateyoshi (J)
看板NEMS
标题[问题] MOS+BJT
时间Fri Nov 7 18:58:17 2008
各位板大您们好：
因为我在论文上见到一种设计方式叫做MOS操作在旁路BJT的模式，简单的说就是把MOS
跟BJT做在一起，是由Eric A. Vittoz这位学者所发表的，他在做低功率放大器里面应该
是个大咖，这样的设计法对於降低1/f有怎样的优点呢?? 此外在一些文献上所标的符号
如下图：
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||
Vcascp ---|| Mc2
||
-->
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中的Vcascp适合意，指的是NMOS串接NPN吗??也就是上述的设计法??
请解惑~~ 感激不尽!!
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◆ From: 140.112.231.219
1F：推 Ice98:帮你转至Electronics板!~ 11/07 20:50