作者leptons (为何要如此践踏他人)
看板NCTU_INT_NDL
标题[心得] 半导体中心的炉管
时间Mon Mar 6 12:01:02 2006
半导体中心的炉管
之前做的时候发现他的参数和实际上有差距
例如: <100> 950度C 30分钟 Dry oxide 会长出193A的SiO2
这是本子上的参数
但是我们照这样做去量出来大概是270A
但我昨天仔细看了之後发现
他的参数中 所通的O2气体的量是2500cc/min(2.5L) 还有N2 5000cc
而我们实际做的是3750cc 没有通N2
所以我们通02的量比参数表上多了1.5倍
因此预测厚度也是1.5倍
而270/193=1.4
因此 那本的参数还是蛮准的
至於为什麽要通3750cc 而不通2500cc 我猜测是为了要让管内保持正压
恩 大致是这样 这是我昨天作炉管的心得 给大家参考
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.110.200.124