※ 引述《a760714a》之铭言 : 【慢到 PK 】iPhone 18 Pro 正式出货後，科技频道《HOMOLAB》最新实测发现，Apple i : Phone 18 Pro / Pro Max 的 1TB / 2TB 版本疑因成本考量，采用了成本较低、密度较高 : 的 QLC 快闪记忆体（NAND Flash）。这导致手机在长时间持续高负载写入下，出现严重 : 的「断崖式」降速，最低写入速度甚至跌破 1.1 MB/s，表现有如传统慢速 SD 卡；反观 : 售价较低的 512GB 版本由於采用 TLC 快闪记忆体，效能表现相当理想。 : 根据《HOMOLAB》针对 iPhone 18 Pro Max 1TB 的测试影片，该机所使用的 NAND Flash : 为日本 KIOXIA 的 QLC NAND 晶片。在初始 SLC 快取（Cache）阶段，写入速度能达到逾 : 3,000 MB/s 的水准；然而，一旦快取用罄进入过渡区域，平均速度便降至约 578 MB/s : 。 : 当储存空间大约写入了 30% 後，就会进入 QLC 原生写入阶段，平均速度仅约 79.4 MB/s : ，最低更降至 25.6 MB/s。当容量占用达 60% 状态时，随着可用空间减少，动态 SLC 快 : 取空间进一步被压缩，平均写入速度跌至 45 MB/s，极限最低速甚至仅有 1.1 MB/s。 : 相比之下，较平价的 512GB 机型因采用每单元储存 3 位元资料的 TLC 快闪记忆体，在 : 混合负载测试中，持续表现比 1TB 的 QLC 机型高出多达 38%，整体写入稳定度显着占优 : 。 : 目前，根据中国华强北维修师傅实测，Apple iPhone 18 Pro / Pro Max 512GB 版本应该 : 是 100% 全 TLC NAND，1TB 则是 80% 至 90% 采用 QLC NAND，2TB 则几乎是 100% 全 Q : LC NAND。 : 造成储存效能上的差异，主要是源於 QLC 与 TLC 的架构差别。TLC（Triple-Level Cell : ）每个储存单元容纳 3 个位元资料，而 QLC（Quad-Level Cell）则容纳 4 个位元。QLC : 虽具备容量密度高、每单位成本低的优势，适合大规模制造大容量储存装置，但其原生 : 写入延迟较高、耐用度（P/E 循环）较低，一旦缺乏快取演算法的最佳化缓冲，速度就会 : 大幅衰退。 写这篇的人很坏心，他讲的每一个都对，最主要的问题却因为漏给资讯， 引诱读者往错误的方向想，有几个概念是要解释清楚的 NAND 是一种非挥发性快闪记忆体，即使未连接电源也可以保存资料。 拥有关机时还能保留资料的能力，使得 NAND 成为内部、外部和携带型装置的理想选择。 USB 随身碟、SSD 固态硬碟和 SD 记忆卡都使用快闪记忆体技术，提供笔记型电脑、 桌上型电脑、智慧型手机或数位相机储存空间。市场上目前有几种类型的 NAND。 最简单的说法是，依照每个储存单元内可储存的资讯位元数分类。位元代表电荷状态， 储存0 (关) 或 1 (开)两种状态。不同 NAND 类型的主要差异还包括成本、容量和耐用度。 耐久性取决於快闪记忆体可执行的总写入/抹除次数 (P/E)。 抹写次数是指写入到记忆体单元到抹除的过程，若 NAND 技术可执行的抹写次数越高， 则装置的耐用度就越好。最常见的 NAND 快闪记忆体类型包括 SLC、MLC、TLC 与 QLC， 各自在效能与成本之间提供不同的取舍。 ‧ SLC (Single-Level Cell）单级储存单元：大约5~10万次总写入/抹除次数 （P/E） ‧ MLC （Multi-Level Cell）多/双级储存单元：大约 3 千～1 万次 ‧ TLC (Triple-Level Cell) 三级储存单元：大约 1 千～3 千次（现代 3D 已有提升） ‧ QLC （Quad-Level Cell）四级储存单元：大约 500～1,000 次 单级指的是一单元中储存1个位元（1 bit)，双级2个位元，三级3位元，四级4位元， 每个位元能表示0、1两状态，QLC的四级4位元能表示16种状态 1、QLC比较便宜：这个99%对，同容量下实际差距虽依 NAND 世代与供应状况而异 ， 但QLC 版本通常比 TLC 便宜 20–40%（容量越大差距越明显）。 主因来自密度更高：QLC每个cell 存4 bit，TLC只存3 bit。同样的矽晶圆面积同层数， QLC 可以产出更多容量。 厂商（Samsung、SK Hynix、Kioxia/Micron 等）用相同或相近的制程生产时， QLC 的每 GB 成本自然更低，故便宜不是来自偷工减料，QLC在工艺上难度反而更高。 但这种规模生产所降低的成本，不是我想说的重点， 苹果NAND 硬碟晶片在主机板上通常只有一颗， 只要容量所需要的层数和制程失败率产生交错，结果可能就不一样。你就想像一下， 假设TLC是一栋大楼盖一层3000个房间，QLC一层盖4000个房间， 但我要12万个房间，一个盖40层，一个盖30层，0.999的40次方， 就比0.99866的30次方高，只要QLC的单层良率低於0.99866， 那谁比较便宜还真不好说。 2、『手机在长时间持续高负载写入下，出现严重的「断崖式」降速， 最低写入速度甚至跌破 1.1 MB/s，表现有如传统慢速 SD 卡』： 他说的也正确，但这是一口气在1TB或2TB的容量，储存空间已经使用60~70%， 还持续写入才开始发生的降速，这是必然的物理限制， 他把「长时间持续高负载写入下」的情况，写的好像「写入档案任何大小、剩余多少任何 容量」都是一个样，这反而是不对的，物理上虽然每个 cell 只能设定成一种位元密度。 但Apple 的自研控制器（S6E 系列）可以动态把不同区域（Band）设定成不同模式， 少量区域当 SLC（1 bit，最快、最耐用，当高速快取），主体当 TLC（3 bit）， 需要极致容量时才切到完整 QLC（4 bit）」。换句话说，虽然颗粒是 QLC， 但平常运作其实是「QLC 颗粒当 TLC + SLC 用」，牺牲一点原始容量来换速度与寿命。 只有在空间很满、快取不够用时，才会比较明显露出 QLC 的原形。 同理，所有都是对比出来的，TLC一样会比MLC慢，MLC会比SLC慢 3、『反观售价较低的 512GB 版本由於采用 TLC 快闪记忆体，效能表现相当理想』： 这是他最可恶的地方，TLC明明写到超过控制器设定的不同模式也会降速， 他却描述写效能表现相当「理想」，他的理想根本没有定义！ 4、『其原生写入延迟较高、耐用度（P/E 循环）较低， 一旦缺乏快取演算法的最佳化缓冲，速度就会大幅衰退。』 写的都对，但他没说的是「控制器可以动态把不同区域（Band）设定成不同模式」， 那些被设成 1-bit 的区域，耐用度会大幅提升，大多估可提升到数万次， 有些工业级产品宣称接近或达到原生 SLC 水准。 但代价是容量大幅缩水：设成 SLC 後，理论可用容量约剩原本的1/4。 控制器只会动态划出「有限比例」当高速/高耐用快取（常见是几十到一两百 GB）， 其余大部分空间还是用较低密度（接近 TLC 或原生 QLC）模式存放资料。 这两篇2026比较新的研究文章，解释了动态把不同区域（Band）设定成不同模式， 为什麽耐用度会大幅提升。 https://vocus.cc/article/6a1b9a30fd89780001518fd0 当我们对单元每一次的擦写，控制器会施加一个高压编程脉冲， 使电子透过量子隧道效应穿越二氧化矽绝缘层（Tunnel Oxide），进入捕获层。 抹除操作则是施加反向电压，让电子释放出来。这种物理机制带来了致命的副作用。 每一次电子的穿越，都会对极薄的二氧化矽绝缘层造成微小的晶格损伤，形成物理缺陷。 随着 P/E 循环次数的增加，这些缺陷会逐渐累积，形成电子泄漏的通道。 这就是 NAND Flash 物理磨损的根本原因。当绝缘层退化到一定程度後， 单元保持电荷的能力会急剧下降，导致资料保存期（Data Retention）缩短， 并引发原始误码率（Raw Bit Error Rate，简称 RBER）的上升。 误码率高到一定程度等同耐用度下降到被定义成「损坏」，他落落长的写一大堆， 其实只是在反覆说一件事，随着技术进步，现代 SSD 控制器用了很强大的 LDPC 纠错码 （低密度奇偶校验码），再加上软判决、硬判决等多层解码机制， 可以把 QLC 的「物理弱点」大幅补偿回来，在特定条件下， LDPC加上控制器算法优化让各不同区域（Band）磨损的更平均， QLC 的「系统级有效寿命」甚至有机会追上或超过某些旧世代未优化好的 TLC， 而且现在消费级的电子产品，早就不追求几十年的储存能力， 电池、萤幕、主机板电容通常更早坏，在某些长年不动的系统档案、照片所存的区域， 擦写次数甚至在消费级电子产品的一生未达10次，只要你50%容量的大档案搬的次数够少， 那又何必在意1000次的擦写？而且云端的存在，坏了维修也不心疼， 你甚至找不到有人坏硬碟在修的报价单，NAND坏估计都直接被当主机板挂了。 https://reurl.cc/MWDV34 这篇讲到这个QLC靠控制器改写韧体，做些晶粒级隔离（Die-level isolation）、 最佳化的 SLC 预留分配、区域感知（Region-aware）I/O 调度， 可大幅提高QLC晶粒模拟的pSLC增加25倍耐用度，原本1000次的话，那就能变25000次， 只要过去装的不够满，没事再更新一下IOS，让它半夜发热跑一下索引， 重新换一块区域当pSLC，撑到比电池、萤幕、主机板电容更久根本不是什麽难事。 --

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