作者Lsamia (samia)
看板MobileComm
标题Re: [新闻] Galaxy Note 6效能无敌了？连记忆体都要比别人强 30%！
时间Mon May 23 18:21:57 2016
※ 引述《Rigaudon (支持htc，支持台湾货)》之铭言：
: → DiChik : 光听到10nm就知道在唬烂啊 哪来的？ 05/23 17:47
Samsung unveils its 10nm 6GB LPDDR4 DRAM that will be present
in future mobile devices
http://goo.gl/UFKu4M
5/19在深圳公开发表开始量产的
http://i.imgur.com/HwdhqLZ.jpg
不过我觉得这不是重点，
重点是很多人常常会把不同的产品制程拿来混在一起讲
我们称这是28nm,20nm的制程，这些数字
对逻辑产品而言， 指的是电路布局上的闸极宽度(gate length)
对DRAM产品而言， 指的是二分之一的pitch (spacing + width)
对Flash产品而言，指的是相邻两个浮动闸极(floating gate)的距离
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 111.83.94.106
※ 文章网址: https://webptt.com/cn.aspx?n=bbs/MobileComm/M.1463998920.A.560.html
※ 编辑: Lsamia (111.83.94.106), 05/23/2016 18:22:26
2F：→ a19930904 : 写一下 references齁 既然整段搬过来惹 05/23 18:51
3F：→ DiChik : 感谢告知 @@ 05/23 18:53
4F：推 labbat : <20nm是满期待的，但是LPDDR4X比较有机会 05/23 19:08
5F：→ GalaxyNote6 : 感谢支持 05/24 00:14
6F：推 notmuchmoney: 还10nm勒 加油好吗 05/24 00:53