作者jamtu (月光下的智慧)
看板Grad-ProbAsk
标题Re: [理工] [电子]请问一些简单的观念题
时间Sun Feb 7 01:44:16 2010
※ 引述《trainausidd (呆呆a蚊子)》之铭言:
: ex1 Choose the single configuration that is best suitable for implementation of
: CMOS static memery address decoder?
: A. Psuedo NMOS NOR logic B. Pseudo NMOS NAND logic
: C. CMOS NOR logic D. CMOS NAND logic
: 答案是A 请问为什麽呢!? 不知道怎麽去分辨这些闸的差别 请懂得人解释一下 谢谢~
如果你用NAND,会需要用到好几长串NMOS串联...
要matching会需要相当大的面积
想像 Bit = (A+B)' = A'B' = ((A'B')')'
我假设用NAND做出一个A'B',再让逻辑反过来
那麽用NOR做出来只需要(W/L) + (W/L)的面积
用NAND做出来,却需要2(W/L) + 2(W/L)的面积来达到matching
比较不好
用Psuedo的用意是,你不需要在上面串联一堆PMOS来达到互补的逻辑
只要一颗就可以了
节省面积
假设是(A+B)',CMOS的部分PUN是长成两颗串联,面积超大的
用pseudo就只要一颗就好了,还可以在gate加上dymanic control
请参考史密斯第10章的部分
: ex2 Choose the single incorrect statement baout folded-cascode differential
: ,as compared with cascode differential amplifier ?
请参考史密斯 p.884 folded cascode的图
: A. It achieves the purpose of level shifting
输入信号在的 DC Level 在 VD1 到 VD3 有下降
如果是用一般的cascode,输入信号的DC level是提升的
: B. It achieves the purpose of increasing input common-mode range
这你应该有看出来
: C. It is often better suited for low-voltage application
一般的cascode叠了4级的MOS加上一级的电流源
folded只叠了3级加一级电流源
意思是你的VDD可以变得更小
: D. It is often much better in term of frequency response
这之前有人问过~~答案是不对的
输出阻抗相同,也没有改动太大的结构让各点的电容改变很多
而且output的电容应该是没有变,然後主要是output在影响主极点
频率响应理论上差一点点
你要说显着改善起码改善个10倍以上吧
: 答案是D 不知道 为什麽 = = 只知道B是对的 其他三个选项不知道他在叙述什麽
: 何谓 level shifting 呢? low - voltage application 又是指什麽意思
: 请各位帮忙解惑一下 感恩罗~
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◆ From: 140.112.244.81
※ 编辑: jamtu 来自: 140.112.244.81 (02/07 01:45)
1F:推 jasonkuo515:memory decoder通常需要很多bit 用NAND就挫起来了 02/07 02:28
2F:→ jasonkuo515:另外pseudo-NMOS值得使用的时机就是超多input NOR时 02/07 02:29
3F:推 trueclamp:原来如此,谢谢J大解惑 02/07 08:18