作者lalala419 (啦啦啦)
看板Grad-ProbAsk
标题[理工] [电子]-简单MOS
时间Thu Oct 1 22:53:53 2009
想问一下 算MOS BJT直流
用Id公式解出来
最後Vgs解都有两个
我不知道怎麽选择正确的
一定要用Vgs-Vt<Vds之类的方法判断吗
还是有别的方法?
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◆ From: 163.25.118.140
1F：→ QQkimi:我觉得可能比较难判断是在BJT饱和区和MOS的Triod区 10/01 23:24
2F：→ QQkimi:你大概可以用饱和区和三级管区可以看出那地方呈现抛物线 10/01 23:25
3F：→ QQkimi:再绘出负载线那条可以看出交集有两解，一个较大一个较小 10/01 23:26
4F：→ QQkimi:通常都是取Id较大的那个值才是正确解，可以明显从图看出 10/01 23:27
5F：推 WinAVI:Vgs-Vt<Vds可以看成Vgd<Vt比较简单 10/01 23:27
6F：→ QQkimi:通常用图来判断是算最快的，也最直观的 10/01 23:27
7F：→ QQkimi:饱和或主动区Id对Vgs或Ic对Vbe做图，从固定id值，同样可和 10/01 23:31
8F：→ QQkimi:和图中抛物线交於两点，有一点会在较大正值，另一点交於 10/01 23:31
9F：→ QQkimi:较小正值或较小负值Vbe or Vgs，可看出通常取较大正值 10/01 23:32
10F：→ QQkimi:不过当然不同Type就会有不同取法 10/01 23:34
11F：→ ohya74921:看看是哪一型的MOS，例如NMOS要选 VGS > VTH 的才是正解 10/02 02:11