备注请放最後面 违者新闻文章删除 1.媒体来源: 中时 2.记者署名: 卢伯华 3.完整新闻标题: 俄宣布自研EUV光刻机 陆网民欢呼：老大哥给力 华为有救了！ 4.完整新闻内文: 据陆媒报导，俄罗斯已公布自主开发EUV（极紫外光）光刻机的路线图，这款EUV光刻系统 与艾斯摩（ASML）的标准不同，但其目标是要比ASML的光刻机更便宜、更容易制造。一些 大陆网民在网上留言对此表示质疑，同时也有网民热情欢呼：「还是老大哥给力，突破欧 美光刻机封锁。中芯国际有救了，华为有救了！」 陆媒《芯智讯》引述汇流新闻网Cnews报导称，俄罗斯自主研发的光刻机采用11.2nm的雷 射光源，而非ASML标准的13.5nm。这种波长将与现有的EUV设备不相容，需要俄罗斯开发 自己的光刻生态系统，这可能需要10年或更长时间。 报导说，该光刻机开发计划由俄罗斯科学院微观结构物理研究所的Nikolay Chkhalo 领导 ，目标是制造出效能具竞争力且具成本优势的光刻机。它采用11.2nm的氙（xenon）基雷 射光源，取代ASML 的基於雷射轰击金属锡（tin）液滴产生EUV光源的系统。而11.2nm的 波长能将解析度提升约20%，不仅可以简化设计并降低光学元件的成本，还能呈现更精细 的细节。 此外，该设计可减少光学元件的污染，延长收集器和保护膜等关键零件的寿命。尽管该光 刻机的晶圆制造产能仅为ASML 装置的37%，主要因为其光源功率仅3.6千瓦，但也足以应 付小规模晶片生产需求。 报导表示，以11.2nm波长为基础的工具很难直接相容现有以13.5nm为基础EUV 架构与生态 系统，甚至连电子设计自动化（EDA）工具也需要进行更新。虽然现有EDA 工具仍可完成 逻辑合成、布局和路由等基本步骤，但涉及曝光的关键制程，需要重新校准或升级为适合 11.2nm的新制程模型。 报导指出，该光刻机的开发工作将分为3个阶段，第1阶段将聚焦基础研究、关键技术辨识 与初步元件测试；第2阶段将制造晶圆的原型机，并整合至晶片生产线；第3阶段的目标是 打造一套可供工厂使用的系统。不过，目前还不清楚这些新的曝光工具将支援哪些制程技 术，路线图也未提到各阶段完成的时间表。 相关报导在大陆引起不少网民热烈议论，有网民为此欢呼：「中芯国际有救了，华为有救 了！还是老大哥给力，突破欧美光刻机封锁。」「雷射的难度会很大。不过ASML的方案也 不是最优解，只能说是走一步算一步的产物。」「各种弊端也太明显了。现在很多国家都 在搞其他的EUV方案。」 对此消息冷嘲热讽的网民留言就更多了：「看，那母猪正在上树。」「国内已经有了好吧 ，25年正式公布。」「嗯，那就等鹅光刻机开卖吧，慢慢等。」「总算看到比某企更会吹 自研的了……」「朝鲜都已经说自己登陆太阳了，他的两位大哥还在哪研究光刻机呢。」 5.完整新闻连结 (或短网址)不可用YAHOO、LINE、MSN等转载媒体: https://www.chinatimes.com/realtimenews/20241220004751-260409 6.备注: ※ 一个人一天只能张贴一则新闻(以天为单位)，被删或自删也算额度内，超贴者水桶， 请? ※ 备注请勿张贴三日内新闻(包含连结、标题等) --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 180.177.68.80 (台湾) ※ 文章网址: https://webptt.com/cn.aspx?n=bbs/Gossiping/M.1734746063.A.656.html