作者goodbye177 (猫仙人)
看板Examination
标题[考题] 电子学/101地特/第2、6题
时间Mon Jan 7 21:36:27 2013
101地方特考电子学
题目与想法：
http://ppt.cc/YHYU
请大大们帮忙指教一下
谢谢!!!
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 114.26.223.229
1F：推 rynan:第6题(C)电流变大 所以Vds侧压变小 还是在欧姆区 01/08 08:11
所以电流变大的话，VDS变小的速度会比VGS大喽???
那R2变大的话，VDS不是也变小了吗??
2F：→ rynan:第3题 我觉得Rd要给 不知道对不对 01/08 08:12
3F：→ rynan:说错 第2题 01/08 08:13
4F：推 wayneplay:其实第2题不用过於复杂化 01/08 12:47
5F：→ wayneplay:以元件特性来分析，因为vt=0.5v，又Vcc=2V，Vcm=? 01/08 12:47
6F：→ wayneplay:会使得元件是在饱和的最大值，且此元件是NMOS 01/08 12:49
7F：→ wayneplay:VGD只要=Vt=0.5V即是在饱和的最大值，又Vd=2V，所以 01/08 12:53
8F：→ wayneplay:Vcm最大为1.5V 01/08 12:53
9F：→ rynan:可是rd也会有压降阿 题目应该要说很小 01/08 13:07
10F：推 wayneplay:题目说最大Vcm应该是自动将rd归类为最小了。 01/08 14:53
11F：→ wayneplay:不然如何会有最大Vcm? 01/08 14:54
12F：→ rynan:看来这里的最大是指所有的rd最大 而不是单一rd的最大 我误会 01/08 15:35
13F：→ rynan:了 01/08 15:35
14F：推 klinmmm:讨论的高手还在吗? w说的都很有道理 但是VGD=Vt=0.5时 01/08 21:58
15F：→ klinmmm:输入Vcm应该是 Vcm=VG=VD+0.5=2.5 这样想哪里错了吗? 01/08 22:00
我也有同样的问题??
※ 编辑: goodbye177 来自: 114.26.201.207 (01/08 22:43)
16F：推 rynan:(C)电流变大 所以VD会降低 本来VGD已经小於VT 所以更不可能 01/09 00:17
17F：→ rynan:(D)R2变大 VS上升 故VGS变小可进入饱和区 01/09 00:19
18F：→ rynan:R2变大 VD也会变大 且VGS小速度比VDS快 故可以饱和 01/09 00:20
19F：→ rynan:关於第2题嘛 我还是觉得要给RD 所以我不会 SOR 01/09 00:22
20F：→ rynan:又说错 = = 本来VGD已经大於VT才对 01/09 00:27