基本的PN junction(一层P跟一层N)空乏区推导与计算小弟还可以 主要想请教的是进阶一点的多层不同浓度的空乏区计算 假设今天是P/P-/N+这样的结构(如下图) 大概要怎麽去计算或推导空乏深度呢? 目前的想法是想先用浓度算出flat band下 #1(P)和#2(P-)间的build-in potential以及#2(P-)与#3(N+)间的build-in potential 但就卡在这边，不太确定要怎麽做 想像上#2(P-)会先开始空乏，等偏压加到够大後，完後再空乏到#1(P) 在#2(P-)完全空乏前应该跟基本的PN junction空乏区计算一样 但空乏到#1(P)後就不知道该怎麽做了，不知道能否有高手帮忙指点迷津 而且会不会有case是#2(P-)的厚度T2小於热平衡下的空乏区深度 也就是直接空乏到#1(P)，那这样又该如何计算? #1 #2 #3 浓度P 厚度T1 / 浓度P- 厚度T2 / 浓度N+ 厚度T3 Flat band ---------------------------------------------Ec _______________ ↖ Ef _________________ _____________ ---------------------------------------------Ev 热平衡 ------------- \ ---------------- \ \ ------------Ec ____________________________________________ Ef ------------- \ ---------------- \ \------------Ev --

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