作者Johnson1005 (Johnson)
看板Electronics
标题[问题] FinFET poly 制程疑问
时间Tue Aug 29 18:42:24 2023
小弟最近在研究FinFET制程中Poly的profile
想问各位大大我的认知是不是正确的：
示意图中poly的gate height位子 会作成上宽下窄是为了在poly remove好把poly 掏乾净
及好填work function metal填的好；
而在poly fin top 到poly fin bottom中Fin bottom的poly做的宽是为了降DIBL
如示意图：
https://i.imgur.com/mgXBEyn.jpg
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1F：推 joshhuang100: 整体来说没问题 唯一一个bug 是fin top 的necking 09/01 22:47
2F：→ joshhuang100: 其实会让WFM难吃掉，所以怎麽维持上端的funnel 到底 09/01 22:47
3F：→ joshhuang100: 部footing 是很难的课题 09/01 22:47
4F：→ Johnson1005: 了解，谢谢 09/04 19:21