作者YoshiLo (耀西罗)
看板Electronics
标题[问题] N/P mos 相同Pkg size下的Rds on何者较大
时间Fri Dec 10 16:09:52 2021
目前对於何者较大的问题很困扰
透过Early voltage的公式推导
假设Ids 相同情况下
因为N的mobility为P的两倍多左右
那代表须提高Pmos的宽度
但这样就无法以相同pkg size下作比较
想请问有什麽验证能实际推倒出何者的导通电阻较大
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 42.73.96.49 (台湾)
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1F：→ Bomy5566: 经验跟你说 4倍 PMOS 20k NMOS 5 k 我是这样记阻值 当开 12/10 18:05
2F：→ Bomy5566: 关用 12/10 18:05
3F：→ samm3320: Early voltage怎麽会当开关用，应该在sat吧 12/10 18:08
4F：→ samm3320: Ro如果Id Vod 都订了那就调L吧 12/10 18:14
5F：推 mmonkeyboyy: 看制程吧 那不是线性的 还要看l 12/11 00:07