作者jamtu (月光下的智慧)
看板Electronics
标题Re: [问题] 关於先进制程类比电路设计
时间Mon Apr 19 03:10:58 2021
※ 引述《darksoul8507 (soul)》之铭言：
: 各位版上大大好：
: 小弟现在在使用40nm的制程，
: VDD电压很低，
: 本来小弟的设计流程是会先跑个nmos和pmos的模拟，
: 从hspice的lis档得知大概的uCox,VA,vth,gamma值，
这是错误的设计方法与观念
正确的设计方法是你先大致决定MOS多少电流
然後开始tune W跟L
1. 让你的VGS不会爆炸
2. 让你的gm足够
3. 让你的gmro足够
4. 注意寄生电容不要太大不然会很容易看到寄生pole不稳定
至於怎样的W跟L可以达到你需要？
定电流扫一个diode connected的MOS的size就大概有感觉了
类比电路永远都不要用电压设计，要用电流设计
因为你定电压bias VGS，PVT跑掉就跑掉，gm电流都不是你要的
但你用电流设计，由於电流是从bandgap reference mirror出来，他相对稳定
你没做bandgap就自己chip外灌一个current cource
你可以单纯用diode connected MOS加晶片外可变电阻勉强用一下
非得用电压设计的某些状况就是会suffer很大的PVT variation
自己去评估那些variation自己是否能接受
: 接着开始如史密斯电子学内所教的来设计电路。
: 以前是使用350nm和180nm制程，但现在换成使用40nm制程，
: 但发现那些得到与算出来的参数与模拟出来的结果有很大的不同，已经确定不是计算错误
: 了。
: 想请问各位前辈可以分享先进制程该如何设计类比电路的方法呢？
: 在此感谢大家。
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 1.160.39.118 (台湾)
※ 文章网址: https://webptt.com/cn.aspx?n=bbs/Electronics/M.1618773060.A.57A.html
※ 编辑: jamtu (1.160.39.118 台湾), 04/19/2021 03:11:31
1F：推 deeplythink: 外灌一个current source 04/19 05:40
2F：→ taipoo: 这是其中一种说法 04/19 09:51
3F：推 darksoul8507: 感谢大大，想请问您文中所述的用一定电流源去扫，可 04/19 20:50
4F：→ darksoul8507: 以请问详细的意思吗？非常感谢 04/19 20:50
5F：→ jamtu: nmos dg接一起 s接地 上面灌电流 04/20 02:31
6F：→ jamtu: 给10uA 扫 L W 观察 gm ro vgs变化 04/20 02:31
7F：→ jamtu: 给1mA 1nA 也可以 看你应用需要什麽spec 04/20 02:32